[发明专利]抗菌镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种抗菌镀膜件，其包括基材、形成于基材表面的打底层，该打底层为镍铬合金层，其特征在于：该抗菌镀膜件还包括形成于打底层表面的若干镍铬氮层和若干铜银铈合金层，该若干镍铬氮层和若干铜银铈合金层交替排布，且与所述打底层直接相结合的是镍铬氮层，该抗菌镀膜件的最外层为镍铬氮层。

2.如权利要求1所述的抗菌镀膜件，其特征在于：所述基材的材质为不锈钢。

3.如权利要求1所述的抗菌镀膜件，其特征在于：所述打底层以磁控溅射的方式形成，该打底层的厚度为150～250nm。

4.如权利要求1所述的抗菌镀膜件，其特征在于：所述若干镍铬氮层以磁控溅射的方式形成，每一镍铬氮层的厚度为40～80nm。

5.如权利要求1所述的抗菌镀膜件，其特征在于：所述若干铜银铈合金层以磁控溅射的方式形成，每一铜银铈合金层的厚度为40～80nm。

6.如权利要求1所述的抗菌镀膜件，其特征在于：所述若干镍铬氮层和若干铜银铈合金层的总厚度为2～3.2μm。

7.一种抗菌镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供基材；

在该基材的表面形成打底层，该打底层为镍铬合金层；

在该打底层的表面形成镍铬氮层；

在该镍铬氮层的表面形成铜银铈合金层；

重复交替形成镍铬氮层和铜银铈合金层以形成最外层为镍铬氮层的抗菌镀膜件。

8.如权利要求7所述抗菌镀膜件的制备方法，其特征在于：形成所述打底层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用镍铬合金靶，所述镍铬合金靶中镍的质量百分含量为20～40%，镍铬合金靶的功率为7～11kw，以氩气为工作气体，氩气流量为350～500sccm，对基材施加偏压为-100～-150V，镀膜温度为70～90℃，镀膜时间为5～10min。

9.如权利要求7所述抗菌镀膜件的制备方法，其特征在于：形成所述镍铬氮层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用镍铬合金靶，所述镍铬合金靶中镍的质量百分含量为20～40%，镍铬合金靶的功率为7～11kw，以氮气为反应气体，氮气流量为45～120sccm，以氩气为工作气体，氩气流量为400～500sccm，对基材施加偏压为-50～-100V，镀膜温度为70～90℃，镀膜时间为5～7min。

10.如权利要求7所述抗菌镀膜件的制备方法，其特征在于：形成所述铜银铈合金层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用铜银铈合金靶，所述铜银铈合金靶中银的质量百分含量为20～28%，铜的质量百分含量为60～70%，剩余的为金属铈，以氩气为工作气体，氩气流量为400～500sccm，对基材施加偏压为-50～-100V，镀膜温度为70～90℃，镀膜时间为5～7min。

11.如权利要求7所述抗菌镀膜件的制备方法，其特征在于：所述交替形成镍铬氮层和铜银铈合金层的次数总共为15～20次。