[发明专利]互连结构的制造方法无效
| 申请号： | 201110068920.3 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102693935A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 何其旸;张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制造 方法 | ||
1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有低介电常数层间介质层和牺牲层；
刻蚀所述低介电常数层间介质层和牺牲层，至暴露出半导体衬底，以形成沟槽；
沉积铜金属，所述铜金属填满沟槽并覆盖沟槽两侧的牺牲层；
采用化学机械研磨平坦化所述铜金属和牺牲层，以去除部分牺牲层和部分牺牲层内的铜金属；
采用灰化工艺去除剩余的牺牲层。
2.如权利1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述低介电常数层间介质层为黑钻石。
3.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲层为可灰化材料，厚度范围为100埃至500埃。
4.如权利要求3所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述可灰化材料为非晶质碳。
5.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述低介电常数层间介质层与牺牲层之间还形成有停止层。
6.如权利要求5所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述停止层与牺牲层的材料不相同，所述停止层的厚度范围为10埃至100埃。
7.如权利要求6所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述停止层为SiO2、Si3N4或氮掺杂碳化硅。
8.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述剩余的牺牲层的厚度范围为50埃至150埃。
9.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述灰化工艺为干法灰化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110068920.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
