[发明专利]一种三维高集成度系统级封装结构有效
申请号: | 201110069846.7 | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN102176446A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 陶玉娟;石磊 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/485;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人: | 雷志刚;潘士霖 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三维 集成度 系统 封装 结构 | ||
1.一种三维高集成度系统级封装结构,其特征在于,包括:线路整理晶圆;位于线路整理晶圆上的至少一组倒装封装层,所述倒装封装层包括依次位于线路整理晶圆上的倒贴装层、底部填充、封料层、布线层;位于倒装封装层上的至少一组布线封装层,所述布线封装层包括依次位于倒装封装层上的正贴装层、封料层、布线层;位于末组布线封装层上的顶部倒装封装层,所述顶部倒装封装层包括依次位于末组布线封装层上的倒贴装层、底部填充、封料层;设置于线路整理晶圆下方的连接球;其中,线路整理晶圆、各封装层之间透过布线层实现相邻封装层或间隔封装层间的电互联。
2.如权利要求1所述的一种三维高集成度系统级封装结构,其特征在于,所述一种三维高集成度系统级封装结构包括至少一组倒装封装层,所述倒装封装层包括:依次位于线路整理晶圆上的第一倒贴装层、第一底部填充、第一封装层、第一布线层。
3.如权利要求2所述的一种三维高集成度系统级封装结构,其特征在于,所述第一布线层包括贯穿第一封料层的第一纵向布线、覆盖于第一封料层上且与所述第一纵向布线相连的第一横向布线。
4.如权利要求1所述的一种三维高集成度系统级封装结构,其特征在于,倒装封装层上包括至少一组布线封装层,所述布线封装层包括:依次位于倒装封装层上的第一正贴装层、第二封料层、第二布线层。
5.如权利要求4所述的一种三维高集成度系统级封装结构,其特征在于,所述第二布线层包括贯穿第二封料层的第二纵向布线、覆盖于第二封料层上且与所述第二纵向布线相连的第二横向布线。
6.如权利要求1所述的一种三维高集成度系统级封装结构,其特征在于,所述顶部倒装封装层中的焊料凸点使顶部倒装封装层的贴装层与末组布线封装层中的布线层间形成电性互联。
7.如权利要求1~5任一权利要求所述的一种三维高集成度系统级封装结构,其特征在于:所述线路整理晶圆设有上下表面,所述上下表面上设有焊盘。
8.如权利要求7所述的一种三维高集成度系统级封装结构,其特征在于:所述线路整理晶圆上表面的焊盘间距小于下表面的焊盘间距。
9.如权利要求1~6任一权利要求所述的一种三维高集成度系统级封装结构,其特征在于:所述贴装层中包括芯片,所述芯片为单颗或多颗。
10.如权利要求9所述的一种三维高集成度系统级封装结构,其特征在于:所述贴装层还包括无源器件,所述无源器件为电容、电阻或电感中的一种或多种。
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