[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基板，其具有布置于其上表面上的多个垫电极并且具有近似矩形形状；

再配线层，其被设置有连接至所述多个垫电极上的多个接触配线，所述再配线层被通过绝缘膜布置于所述半导体基板上；以及

多个球电极，它们被布置于所述再配线层上；

其中，所述多个垫电极中的多个第一垫电极被沿所述半导体基板的第一边布置于所述半导体基板的外周上；

所述多个球电极中的多个第一球电极被沿所述第一边布置于所述再配线层的外周上；并且

所述多个第一球电极的任何一个被通过所述接触配线连接至放置于相应球电极下面的所述第一垫电极上，并且所述第一垫电极没有被布置于放置于所述第一边端部的所述第一球电极下面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括外周配线，其被沿所述第一边布置于所述再配线层的外周上，所述外周配线位于所述第一垫电极外面。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括第二球电极和第三球电极，它们被设置于所述半导体基板的中心区域内；

其中，所述多个第一垫电极中的被供给第一电压的垫电极被连接至所述外周配线上，所述外周配线被通过所述再配线层的第一再配线连接至所述第二球电极；并且

所述多个第一垫电极中的被供给第二电压的垫电极被通过所述再配线层的第二再配线连接至所述第三球电极。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述外周配线延伸至除所述第一边之外的边。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电压是电源电压，并且所述第二电压是接地电压。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电压是接地电压，并且所述第二电压是电源电压。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个第一球电极的任何一个被连接至放置于相应球电极下面的多个所述第一垫电极上。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板还包括设置于所述半导体基板上的中心区域内的第二垫电极；并且

所述第二垫电极被通过所述接触配线连接至所述第二球电极。

9.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板还包括设置于所述半导体基板上的中心区域内的第二垫电极；并且

所述第二垫电极被通过所述接触配线连接至所述第三球电极。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板还包括被布置于所述第一球电极和所述接触配线之间的连接电极，并且电连接所述第一球电极和所述接触配线；

其中，所述连接电极的底表面的面积被设置成大于所述第一垫电极的上表面的面积。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板还包括被布置于所述第一球电极和所述接触配线之间的连接电极，并且电连接所述第一球电极和所述接触配线；

其中，所述连接电极的底表面的面积被设置成大于所述接触配线的上表面的面积，所述接触配线的上表面被连接至所述连接电极的底表面。