[发明专利]半导体装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于下述申请并要求下述申请的优先权：2010年6月3日提交的在先日本专利申请No.2010-127947；其整体内容被以引用方式并入。

技术领域

这里描述的实施方式大致涉及应用晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)的半导体装置。

背景技术

在传统技术中，因为WCSP的再配线层是一层，所以与多层基板例如球栅阵列(BGA)相比，配线很困难。

由于此原因，根据焊垫的布置，存在可能没有被连接的信号线、电源和地线。因此，很难制造大规模集成电路(LSI)。

附图说明

图1是示出了根据第一实施例的半导体装置100的结构示例的图示；

图2是示出了图1所示的半导体装置100从上侧看过去的示例的俯视图；

图3是示出了图2的线A-A处的半导体装置100的剖面示例的剖视图；

图4是示出了图1所示的半导体装置100从上侧看过去的另一示例的俯视图；

图5是示出了图1所示的半导体装置100从上侧看过去的另一示例的俯视图；

图6是示出了图5的线B-B处的半导体装置100的剖面示例的剖视图；

图7是示出了图1所示的半导体装置100从上侧看过去的另一示例的俯视图；

图8是示出了图7的线C-C处的半导体装置100的剖面示例的剖视图；

图9是示出了图1所示的半导体装置100从上侧看过去的另一示例的俯视图；以及

图10是示出了图9的线D-D处的半导体装置100的剖面示例的剖视图。

具体实施方式

根据实施例的半导体装置包括：半导体基板，其具有设置于其上表面上的多个垫电极并且具有近似矩形形状；再配线层，其被设置有连接至所述多个垫电极上的多个接触配线，再配线层被通过绝缘膜布置于半导体基板上，并且具有近似矩形形状；以及多个球电极，它们被设置于再配线层上。所述多个垫电极中的多个第一垫电极被沿半导体基板的第一边布置于半导体基板的外周上，所述多个球电极中的多个第一球电极被沿该第一边布置于再配线层的外周上，并且所述多个第一球电极中的任何一个被通过接触配线连接至放置于相应球电极下面的第一垫电极上，并且第一垫电极不被布置于放置于该第一边端部的第一球电极的下侧。

下面将根据附图描述实施例。

(第一实施例)

图1是示出了根据第一实施例的半导体装置100的结构示例的图示。图2是图1所示的半导体装置100从上侧看过去的示例的俯视图。图3是图2的线A-A处半导体装置100的剖面示例的剖视图。图4是图1所示的半导体装置100从上侧看过去的另一示例的俯视图。

如图1至3中所示，半导体装置100包括具有近似矩形形状的LSI基板1、具有近似矩形形状的再配线层3，以及多个球电极(凸块)2a、2b和2c。

在LSI基板1中，半导体集成电路(图中未示出)被形成。LSI基板1具有具有近似矩形形状的半导体基板1a、绝缘膜1b和连接至半导体集成电路的多个垫电极4a、4b和4c。

在半导体基板(例如，硅基板)1a的上表面上，设置有多个垫电极4a、4b和4c，它们被连接至半导体集成电路。

绝缘膜1b被设置于半导体基板1a上并且覆盖半导体集成电路和多个垫电极4a、4b和4c。

在该多个垫电极4a、4b和4c中，多个第一垫电极4a和4b被沿平行于半导体基板1a的基板表面的半导体基板1a的第一至第四边101a至101d布置于半导体基板1a的外周上。

例如，垫电极4a和4c被通过再配线(图中未示出)连接至球电极2a和2c。在这种情况下，两个垫电极4a被布置于球电极2a和2b之间。然而，垫电极的数目可以根据需要而改变。

垫电极4c被连接至布置于LSI基板1的中心侧上的知识产权核(IP核)(图中未示出)。垫电极4c被布置于LSI基板1的中心侧上，以减少外周或上层的配线数。

再配线层3包括设置于绝缘膜1b上的聚酰亚胺膜(树脂膜)3a和3b、用于倒装芯片的连接电极5，以及接触配线7。

再配线层3被通过绝缘膜1b设置于半导体基板1a上。在再配线层3中，设置有被连接至多个垫电极4b上的多个接触配线(过孔)7。

连接电极5被布置于第一球电极2b和接触配线7之间，并且电连接第一球电极2b和接触配线7。