[发明专利]一种三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的精馏方法及其装置有效

专利信息
申请号: 201110070501.3 申请日: 2011-03-23
公开(公告)号: CN102107876A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 朱国平;潘和平;刘兴国;田先瑞 申请(专利权)人: 重庆大全新能源有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 404000 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 三氯氢硅 氯化 二氯二氢硅 精馏 方法 及其 装置
【权利要求书】:

1.一种三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的精馏方法,其特征在于,包括:

a)将含有三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅以及杂质的原料液通入第一精馏塔中进行精馏,从所述原料液中分离出四氯化硅以及第一部分杂质;所述第一精馏塔塔顶操作压力为0.05-0.5MPaG,塔釜操作压力为0.055-0.55MPaG,塔顶操作温度为40-100℃,塔釜操作温度为70-136℃;

b)将所述第一精馏塔的塔顶馏分通入第二精馏塔中进行精馏,从所述第一精馏塔的塔顶馏分中分离二氯二氢硅馏分;并将二氯二氢硅馏分通入分离塔中进行精馏分离,分离出第二部分杂质,并得到二氯二氢硅;所述第二精馏塔塔顶操作压力为0.15-0.5MPaG,塔釜操作压力为0.16-0.55MPaG,塔顶操作温度为50-95℃,塔釜操作温度为60-100℃;所述分离塔的塔顶操作压力为0.15-0.5MPaG,塔釜操作压力为0.16-0.55MPaG,塔顶操作温度为38-72℃,塔釜操作温度为60-100℃;

c)将所述第二精馏塔的塔底馏分通入第三精馏塔中,从所述塔底馏分中分离第三部分杂质;并得到三氯氢硅;所述第三精馏塔塔顶操作压力为0.05-0.5MPaG,塔釜操作压力为0.06-0.55MPaG,塔顶操作温度为40-100℃,塔釜操作温度为45-110℃。

2.根据权利要求1所述的精馏方法,其特征在于,步骤c)具体为:

d1)将所述第三精馏塔的塔顶馏分通入第四精馏塔中,从所述塔顶馏分中分离第四部分杂质;将所述第四精馏塔的塔顶馏分通入所述第一精馏塔中循环利用;所述第四精馏塔塔顶操作压力为0.05-0.5MPaG,塔釜操作压力为0.06-0.55MPaG,塔顶操作温度为40-100℃,塔釜操作温度为45-110℃;

d2)将所述第四精馏塔的塔底馏分通入所述第五精馏塔,从所述塔底馏分中分离第五部分杂质,得到三氯氢硅;所述第五精馏塔塔顶操作压力为0.05-0.5MPaG,塔釜操作压力为0.06-0.55MPaG,塔顶操作温度为40-100℃,塔釜操作温度为45-110℃。

3.根据权利要求1或2所述的精馏方法,其特征在于,所述第一精馏塔为板式塔;所述第二精馏塔、第三精馏塔、第四精馏塔、第五精馏塔为填料塔。

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