[发明专利]用于制造触点与对应触点的导电连接的方法有效
申请号: | 201110070684.9 | 申请日: | 2011-03-17 |
公开(公告)号: | CN102223756A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 斯特凡·施米特 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/11;H05K3/32;H01L21/60;H01L23/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 车文;樊卫民 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 触点 对应 导电 连接 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于制造设置于载体膜上的触点与对应触点的导电连接的方法。
背景技术
这样的方法例如由申请者的DE 10 2005 053 398 B4公知,其中,设置于由复合膜形成的载体膜的上侧上的触点与设置在载体膜的底侧上的对应触点的导电连接借助薄线材通过压焊来进行。为了保护免受外来影响,用绝缘材料来覆盖镀通连接部。
由DE 10 2004 019 567 B3公知的是,例如功率半导体器件的器件通过压力烧结连接部来接触连接。
压力烧结连接部例如同样在申请者的DE 10 2007 006 706 A1中有所介绍。
压力烧结连接技术以及压焊技术仅能被非常受限地加以组合。此外,与经压焊的细线材的镀通连接部在处理技术上是复杂而且昂贵的,或者说不能在各种不同的材料组合中可靠地实现。
发明内容
在对现有情况有所认识的情况下,本发明基于如下任务,即,提供开头所述类型的方法,该方法使得简单并且可靠的连接技术可以将设置于载体膜上的触点与对应触点连接。
所述任务按本发明通过权利要求1所述特征,也就是通过以下所述 得到解决,即,所述载体膜以配属于触点的方式U形地冲裁出来(freistanzen),从而形成具有触点的载体膜搭接片 ,该载体膜搭接片随后绕至少一个折叠线折叠起来,从而触点靠置在对应触点上,随后,进行触点与对应触点的导电连接。
通过按本发明的方法获得了以下优点,即,取消了对例如栅接片(Gatesteg)的附加的绝缘部,所述绝缘部如在上面引用的DE 10 2007006 706 A1中所描述的那样。
在按本发明的方法中,所述对应触点能够形成导体电路的一部分或者功率半导体器件的接触面。在首先提到的情况下,按本发明涉及用于制造具有触点的第一导体电路与具有对应触点的第二导体电路的导电连接的方法,所述第一导体电路设置在载体膜的第一侧上,所述第二导体电路设置在载体膜的对置的第二侧上,其中,将载体膜以配属于第一导体电路的端部段的方式U形地冲裁出来,从而获得具有触点的载体膜搭接片,该载体膜搭接片随后绕两个彼此有距离的折叠线折叠起来,使得第一导体电路的触点靠置在第二导体电路的所属的对应触点上,随后进行触点与对应触点的导电连接。触点与对应触点的导电连接能够通过材料配合的连接来进行。材料配合的连接优选可以是烧结连接。同样可以将触点与对应触点的导电连接构造成力配合的连接。
在实施上面所述的方法时,证实适当的是,首先绕与触点相邻的第一折叠线折叠所述载体膜搭接片,并且随后绕与第一折叠线有距离的第二折叠线折叠该载体膜搭接片,其中,如此选择载体膜搭接片上的第二折叠线,使得第一导体电路的触点靠置在第二导体电路的对应触点上。
在此,所述第一折叠线和与之有距离的第二折叠线彼此围成任意 的角度,但适当的可以是,所述第一折叠线和与之有距离地第二折叠线可以彼此平行地定向。
所述第一导体电路可以构造在载体膜的底侧上,并且所述第二导体电路可以构造在载体膜的上侧上。
所述对应触点是指接触面,例如功率半导体器件的栅(Gate),按本发明使用用于制造具有触点的导体电路与功率半导体器件的具有对应触点的接触面的导电连接的方法,所述导体电路设置在载体膜的一侧上,其中,所述载体膜叠盖功率半导体器件,并且导体电路设置在载体膜的背对功率半导体器件的所述侧上,其中,载体膜在接触面的区域中塑造有孔,并且其中,将所述载体膜以配属于导体电路的具有触点的端部段的方式U形地冲裁出来,从而获得载体膜搭接片,该载体膜搭接片随后绕折叠线折叠起来,使得导体电路的具有触点的接触区域穿过载体膜中的孔靠置在功率半导体器件的具有对应触点的接触面上,随后,进行导体电路的触点与功率半导体器件的接触面的导电连接。触点与接触面的导电连接可以是材料配合的连接。该材料配合的连接优选可以是烧结连接。另一可行性方案在于,将导体电路的触点与功率半导体器件的接触面的导电连接构造成力配合的连接。
证实适当的是,载体膜构造有孔,该孔的边缘与功率半导体器件的接触面的边缘有距离。此外,证实适当的是,将所述载体膜搭接片从载体膜以在折叠线的方向上测得的如下宽度冲裁出来,所述宽度与功率半导体器件的接触面的在相同的所述方向上测得的尺寸相匹配。
附图说明
其它细节、特征以及优点从下面结合附图对本发明所作的描述中获得。
其中:
图1示出具有第一导体电路和第二导体电路的载体膜的一段的俯视图,
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