[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110071731.1 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194773A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 理崎智光;中西章滋;岛崎洸一 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/78;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括划线区域和IC区域，具有：
半导体衬底；
遍及所述划线区域和所述IC区域而配置在所述半导体衬底上的第一绝缘膜；
设在所述划线区域的所述第一绝缘膜的分离槽；
由形成于所述分离槽的侧壁的堵塞物金属膜构成的边壁；以及
覆盖所述边壁的第二绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二绝缘膜是钝化膜。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
由所述堵塞物金属膜构成的边壁的、所述分离槽内的对置的所述边壁的底部互相接触。
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成第一绝缘膜的工序；
在所述第一绝缘膜形成接触孔的同时形成分离槽的工序；
在所述第一绝缘膜及露出的半导体衬底上沉积堵塞物金属膜，至少在所述接触孔中完全填充堵塞物金属膜的工序；
对所述堵塞物金属膜进行深蚀刻，在所述分离槽的侧壁形成边壁的工序；
在所述边壁上沉积第二绝缘膜的工序；
对蚀刻用抗蚀剂膜进行构图，以至少覆盖位于所述分离槽的上方的所述第二绝缘膜的工序；以及
将所述蚀刻用抗蚀剂膜作为掩模，对基底的第二绝缘膜进行干蚀刻的工序。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第二绝缘膜是钝化膜。
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述焊盘蚀刻用抗蚀剂是感光性聚酰亚胺。
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