[发明专利]镁二次电池的修饰正极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种镁二次电池的修饰正极材料，其特征在于由经杂多酸修饰的四价钼酸镁粉末构成，按质量百分比计，四价钼酸镁的含量为85％～99％，杂多酸的含量为1％～15％；所述四价钼酸镁为黑色粉末，化学结构式为Mg_1+xMoO₃，其中0＜x≤0.1。

2.根据权利要求1的镁二次电池的修饰正极材料的制备方法，其特征在于：

(1)采用镁的化合物、钼的化合物、活性炭为原料，原料的用量按照原子的摩尔比为Mg∶Mo∶C＝1～1.1∶1∶1的比例称取；首先将原料充分研磨，混合均匀后在氩气中快速升温至400～500℃，培烧3～6小时，然后自然冷却，研磨，将研磨的粉未放入炉中，氩气保护，控制升温速度1～5℃/min，升温至750～850℃下灼烧10～20小时，最后控制降温速度1～5℃/min，降温至200℃，得到四价钼酸镁粉末；

(2)将杂多酸溶解在去离子水中，加入经真空干燥的石墨和金属镁粉末，配成溶液，溶液中按质量比计，杂多酸为1～2％，石墨为0.1～0.2％，金属镁粉为0.1～0.2％，去离子水为98～99％；

(3)将四价钼酸镁粉末均匀分散在上述溶液中形成溶胶，在真空烘箱中60℃蒸干，得到杂多酸修饰四价钼酸镁粉末，作为镁二次电池正极材料，得到的材料中四价钼酸镁的含量为85％～99％，杂多酸的含量为1％～15％。

3.根据权利要求2所述的镁二次电池的修饰正极材料的制备方法，其特征在于所述镁的化合物为氧化镁、氢氧化镁、醋酸镁或碳酸镁。

4.根据权利要求2所述的镁二次电池的修饰正极材料的制备方法，其特征在于所述钼的化合物为三氧化钼或钼酸铵。

5.根据权利要求2所述的镁二次电池的修饰正极材料的制备方法，其特征在于所制备材料的颗粒尺寸为0.1-10μm。

6.根据权利要求2所述的镁二次电池的修饰正极材料的制备方法，其特征在于所述杂多酸为Keggin结构，其杂多阴离子由中心配位原子的酸根与多酸原子的配位基团所组成，中心配位原子为P(V)、Si(IV)、Ge(IV)、Sn(IV)、Ti(IV)、Zr(IV)、B(III)、Ce(IV)、Th((IV)或U(IV)，多酸原子的配位基团为Mo(VI)、W(VI)或V(V)。