[发明专利]高电压静电放电防护用的自我检测装置及其制造方法

权利要求书

1.一种静电放电防护装置，包含：

一衬底；

一N型阱区，配置成对应于该衬底的一第一部分并具有两个配置于其的一表面的N+区段，该两个N+区段彼此隔开且每个都关联至该装置的一阳极；

一P型阱区，配置成接近该衬底的一第二部分并具有一P+区段与一N+区段，该N+区段关联至该装置的一阴极，

其中一接触部是配置于一在该两个N+区段之间的空间中并连接至该P+区段，该接触部形成一寄生电容，其与形成于该N+区段关联的一寄生电阻连接而提供自我侦测以供高电压ESD防护用。

2.根据权利要求1所述的ESD防护装置，其中该N型阱区包含两个配置于该P型阱区的相对侧上的部分。

3.根据权利要求1所述的ESD防护装置，更包含一N+掺杂埋藏层，其配置于该衬底与该N及P型阱区之间。

4.根据权利要求1所述的ESD防护装置，其中该寄生电阻是形成于该N+区段与该P+区段之间。

5.根据权利要求1所述的ESD防护装置，其中关联至该阴极的该N+区段是分布成多个N+区。

6.根据权利要求5所述的ESD防护装置，其中该寄生电阻是形成于该分布的N+区段的该些N+区的每一个之间。

7.根据权利要求6所述的ESD防护装置，更包含多个接触部，其设置于在对应于该寄生电阻的形成的该些N+区的每一个之间的多个空间中。

8.根据权利要求5所述的ESD防护装置，其中该P+区段与该接触部亦关联至该阴极。

9.根据权利要求1所述的ESD防护装置，其中多个双载子结晶体管是形成于该装置中以因应于该寄生电容与该寄生电阻所提供的触发来提供该高电压ESD防护，而不需外部元件。

10.根据权利要求1所述的ESD防护装置，其中该装置是经由一标准工艺而不需额外掩模所制造。

11.根据权利要求1所述的ESD防护装置，其中该衬底包含P型衬底材料。

12.根据权利要求1所述的ESD防护装置，其中该衬底包含外延形成的P型材料。

13.一种方法，包含：

提供一衬底；

提供一N型阱区，配置成对应于该衬底的一第一部分并具有两个配置于其的一表面的N+区段，该两个N+区段彼此隔开且每个都关联至该装置的一阳极；

提供一P型阱区，配置成接近该衬底的一第二部分并具有一P+区段与一N+区段，该N+区段关联至该装置的一阴极；以及

提供一接触部配置于一在该两个N+区段之间的空间中并连接至该P+区段，该接触部形成一寄生电容，其与形成于该N+区段关联的一寄生电阻连接而提供自我侦测以供高电压ESD防护用。

14.根据权利要求13所述的方法，其中提供该N型阱区包含提供两个配置于该P型阱区的相对侧上的部分。

15.根据权利要求13所述的方法，更包含提供一N+掺杂埋藏层该衬底与该N型阱区及该P型阱区之间。

16.根据权利要求13所述的方法，其中该寄生电阻是形成于该N+区段与该P+区段之间。

17.根据权利要求13所述的方法，其中关联至该阴极的该N+区段是分布成多个N+区。

18.根据权利要求17所述的方法，其中该寄生电阻是形成于该分布的N+区段的该些N+区的每一个之间。

19.根据权利要求18所述的方法，更包含提供多个接触部于对应于该寄生电阻的形成的该些N+区的每一个之间的多个空间中。

20.根据权利要求13所述的方法，其中多个双载子结晶体管是形成于该装置中以因应于该寄生电容与该寄生电阻所提供的触发来提供该高电压ESD防护，而不需外部元件。