[发明专利]高压元件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压元件形成于一第一导电型基板中，该基板利用绝缘区以定义一元件区，其特征在于，该高压元件包含：

一漂移区，位于该元件区中，其具有第二导电型杂质掺杂，且该漂移区由俯视图视之，分别在横向与纵向上，第二导电型杂质的浓度分布具有周期性的变化；

位于该基板表面上，元件区中的一栅极；以及

位于该元件区中，该栅极两侧的第二导电型源极、与第二导电型漏极。

2.如权利要求1所述的高压元件，其中，该漂移区包括第一漂移区与第二漂移区，分别介于该源极与该栅极之间，以及该漏极与该栅极之间。

3.如权利要求1所述的高压元件，其中，该基板中还包含另一元件，其具有第二导电型井区，其中，该漂移区是利用与该第二导电型井区相同的光罩与离子植入工艺步骤所形成。

4.如权利要求1所述的高压元件，其中，该漂移区的第二导电型杂质的浓度分布呈多个循环图案，该多个循环图案环绕同一中心，且循环图案的角落为完整或不完整。

5.一种高压元件制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板，并于其中形成第一导电型井区以及绝缘区以定义元件区；

于该元件区中形成一漂移区，其具有第二导电型杂质掺杂，且该漂移区由俯视图视之，分别在横向与纵向上，第二导电型杂质的浓度分布具有周期性的变化；

于该基板表面上，元件区中，形成一栅极；以及

于该元件区中，该栅极两侧，形成第二导电型源极、与第二导电型漏极，且以该漂移区隔开该源极与该漏极。

6.如权利要求5所述的高压元件制造方法，其中，该漂移区包括第一漂移区与第二漂移区，分别介于该源极与该栅极之间，以及该漏极与该栅极之间。

7.如权利要求5所述的高压元件制造方法，其中，该基板中还包含另一元件，其具有第二导电型井区，其中，形成该漂移区的步骤是利用与该第二导电型井区相同的光罩与离子植入工艺步骤所形成。

8.如权利要求5所述的高压元件制造方法，其中，该形成该漂移区的步骤包括：

利用一光罩，于该基板上形成由俯视图视之，于横向与纵向上具有周期变化图案的光阻结构；

利用离子植入技术，将第二导电型杂质，以加速离子形式，植入该基板中；以及

利用热扩散技术，使第二导电型杂质扩散，形成该漂移区。

9.如权利要求8所述的高压元件制造方法，其中，该光罩具有至少一循环图案。

10.如权利要求9所述的高压元件制造方法，其中，该循环图案的角落不完整。