[发明专利]圆筒型二次电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110072811.9 申请日: 2011-03-17
公开(公告)号: CN102195072A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 山下龙;越智诚;杉井裕政;筱原祐二;西田晶;松井雄;赤穗笃俊;北冈和洋 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01M10/04 分类号: H01M10/04;H01M2/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 圆筒 二次 电池 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种圆筒型二次电池,在从涡旋状电极组的上部延伸出的一个极的芯体上焊接有上部集电体,且该上部集电体经由集电引线与封口体连接,该涡旋状电极组通过将正极板和负极板以在之间设置有隔板的状态卷绕成涡旋状而形成,该封口体对圆筒状的金属制外装罐的开口部进行密封,所述圆筒型二次电池的特征在于,

所述集电引线通过金属板的冲压加工形成,且具备:形成为与所述上部集电体的外形形状大致相同的形状而与该上部集电体焊接的平面部;从该平面部弯曲而突出形成为大致拱状并与所述封口体焊接的头顶部,

在所述头顶部的中心部形成有中心开口,在该中心开口的周围形成有从该头顶部朝向所述封口体突出的多个焊接用突起,该多个焊接用突起成为与所述封口体的焊接点,并且所述头顶部通过来自所述封口体的按压力引起的变形而与在所述封口体的下表面形成的凸部的角部进行面接触。

2.一种圆筒型二次电池,在从涡旋状电极组的上部延伸出的一个极的芯体上焊接有上部集电体,且该上部集电体经由集电引线与封口体连接,该涡旋状电极组通过将正极板和负极板以在之间设置有隔板的状态卷绕成涡旋状而形成,该封口体对圆筒状的金属制外装罐的开口部进行密封,所述圆筒型二次电池的特征在于,

所述集电引线通过金属板的冲压加工形成,且具备:形成为与所述上部集电体的外形形状大致相同的形状而与该上部集电体焊接的平面部;从该平面部弯曲而突出形成为大致拱状且与所述封口体焊接的头顶部,

在所述头顶部的中心部形成有中心开口,并且所述封口体在下表面形成有凸部且形成有从该凸部朝向所述头顶部的中心开口的周围突出的多个焊接用突起,该多个焊接用突起成为与所述头顶部的焊接点,并且所述头顶部通过来自所述封口体的按压力引起的变形而与在所述封口体的下表面形成的凸部的角部进行面接触。

3.根据权利要求1或2所述的圆筒型二次电池,其特征在于,

在所述头顶部的包括中心部的区域形成有上侧平面部,在该上侧平面部与所述头顶部的倾斜区域的交界部,该上侧平面部与所述头顶部的倾斜区域所成的内部侧角R1为152°以上且165°以下,即,152°≤R1≤165°。

4.根据权利要求1或2所述的圆筒型二次电池,其特征在于,

在所述平面部与所述头顶部的倾斜区域的交界部,所述平面部与所述头顶部的倾斜区域所成的外部侧角R2为90°以上且115°以下,即,90°≤R2≤115°。

5.根据权利要求1或2所述的圆筒型二次电池,其特征在于,

在形成于所述封口体的下表面的凸部的直径为D1且所述头顶部向所述平面部连接的连接根部的直径为D2时,具有D2>D1的关系。

6.根据权利要求1或2所述的圆筒型二次电池,其特征在于,

在所述上部集电体的中心部形成有中心开口,且通过翻边加工形成有在该中心开口开口并从中心开口朝向周围部配置成放射状的多个内部侧狭缝、在该上部集电体的外部开口而朝向所述中心开口配置成放射状的多个外部侧狭缝,并且在两所述狭缝的端部形成的翻边与从所述涡旋状电极组的上部延伸出的一个极的芯体焊接。

7.根据权利要求6所述的圆筒型二次电池,其特征在于,

所述外部侧狭缝的形成个数与所述内部侧狭缝的形成个数的比率为2∶1。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的圆筒型二次电池,其特征在于,

在所述上部集电体的外周部形成有半圆状的翻边孔,并且该半圆状的翻边与从所述涡旋状电极组的上部延伸出的一个极的芯体焊接。

9.根据权利要求8所述的圆筒型二次电池,其特征在于,

在形成于所述上部集电体上的外部侧狭缝的侧壁的前端部形成有倒角部。

10.根据权利要求1或2所述的圆筒型二次电池,其特征在于,

等间隔地形成有多个狭缝,该多个狭缝从在所述集电引线的所述头顶部的中心部形成的中心开口离开而朝向所述平面部呈放射状地形成。

11.根据权利要求1或2所述的圆筒型二次电池,其特征在于,

在与所述上部集电体焊接的所述集电引线的平面部的外周部上的、与形成在该上部集电体的外周部上的多个半圆状的翻边孔一致的位置上形成有与该翻边孔相同形状的半圆状的开孔。

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