[发明专利]MOS晶体管栅极电阻测试结构有效
| 申请号： | 201110072999.7 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102693959A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 刘梅;李平梁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 栅极 电阻 测试 结构 | ||
1.一种MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，包括m组MOS晶体管；
每一组MOS晶体管包括n个不同沟道宽度的MOS晶体管；
同一组MOS晶体管具有相同沟道长度；
不同组MOS晶体管具有不同沟道长度；
各MOS晶体管的类型相同；
m、n为正整数。
2.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，第e组MOS晶体管的沟道长度Le＝Lmin+e*ΔL，Lmin为最小沟道长度，ΔL为沟道长度差值，e为大于等于0小于等于m-1的整数。
3.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，同一组MOS晶体管中第f个MOS晶体管的沟道宽度Wf＝Wmin+f*ΔW，Wmin为最小沟道宽度，ΔW为沟道宽度差值，f为大于等于0小于等于n-1的整数。
4.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，各组MOS晶体管的沟道长度小于等于0.5um。
5.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，各MOS晶体管的沟道宽度大于等于1um。
6.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，n≥3。
7.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，同一组MOS晶体管定义在同一条多晶硅。
8.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，同一组MOS晶体管沿沟道宽度方向排成一列。
9.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，每个MOS晶体管的栅极、源极和衬底共接。
10.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，同一组中的n个MOS晶体管，其源、漏端有源区的宽度相同。
11.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，同一组中的n个MOS晶体管，其衬底端引出的有源区距离源、漏端有源区的间距相同。
12.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，同一组中的n个MOS晶体管，其栅极引出端多晶硅距离源、漏端有源区的间距相同。
13.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，各MOS晶体管各端的金属利用多层金属堆叠。
14.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，各MOS晶体管的沟道到阱的两侧边界的距离相同。
15.根据权利要求14所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，各MOS晶体管的沟道到阱的两侧边界的距离大于等于10um。
16.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，各MOS晶体管的类型同为N型或同为P型。
17.根据权利要求1所述的MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，所述MOS晶体管栅极电阻测试结构放置于硅片上的测试芯片内或划片槽区域。
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