[发明专利]电子元件封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件封装体，包括：

至少一半导体芯片，具有第一表面及与其相对的第二表面，其中至少一重布线设置于该半导体芯片的该第一表面上，且电连接于该半导体芯片的至少一导电垫结构；

至少一抵接部，设置于该重布线上并与其电性接触；

钝化保护层，覆盖该半导体芯片的该第一表面，且环绕该抵接部；以及

基板，贴附于该半导体芯片的该第二表面。

2.如权利要求1所述的电子元件封装体，其中该抵接部突出于该钝化保护层的上表面，且该抵接部与该钝化保护层之间具有一间隙。

3.如权利要求1所述的电子元件封装体，其中该钝化保护层局部覆盖该抵接部的上表面。

4.如权利要求1所述的电子元件封装体，其中该钝化保护层的上表面不低于该抵接部的上表面，且该钝化保护层与该抵接部的侧壁直接接触。

5.如权利要求1所述的电子元件封装体，其中该抵接部与该重布线的材质相同。

6.如权利要求1所述的电子元件封装体，还包括一导电保护层，至少覆盖该抵接部的表面。

7.如权利要求6所述的电子元件封装体，其中该导电保护层由镍、金、或其合金所构成。

8.如权利要求1所述的电子元件封装体，还包括一晶种层，设置于该重布线与该导电垫之间。

9.如权利要求1所述的电子元件封装体，其中该钝化保护层由感光或非感光防焊材料所构成。

10.如权利要求1所述的电子元件封装体，其中该半导体芯片内具有至少一接触开口延伸至该第一表面且该导电垫结构位于该接触开口底部。

11.一种电子元件封装体的制造方法，包括：

提供至少一半导体芯片，其具有第一表面及与其相对的第二表面，其中该半导体芯片内具有至少一接触开口延伸至该第一表面且具有至少一导电垫结构位于该接触开口底部；

将该半导体芯片的该第二表面贴附于一基板；

在该半导体芯片的该第一表面上形成至少一重布线，且经由该接触开口而电连接该导电垫结构；

在该半导体芯片的该第一表面上覆盖一牺牲图案层，其中该牺牲图案层具有一开口，以局部露出该重布线；

在该开口内形成至少一抵接部，其中该抵接部与该露出的重布线电性接触；

去除该牺牲图案层；以及

在该半导体芯片的该第一表面上覆盖一钝化保护层，使该钝化保护层环绕该抵接部。

12.如权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法，其中在形成该抵接部及去除该牺牲图案层之后还包括：

在该抵接部表面形成一导电保护层。

13.如权利要求12所述的电子元件封装体的制造方法，其中该牺牲图案层包括干膜或湿式光致抗蚀剂材料。

14.如权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法，其中该抵接部与该重布线的材质相同。

15.如权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法，该抵接部突出于该钝化保护层的上表面，且该抵接部与该钝化保护层之间具有一间隙。

16.如权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法，其中该钝化保护层局部覆盖该抵接部的上表面。

17.如权利要求11所述的电子电子元件封装体的制造方法，其中该钝化保护层的上表面不低于该抵接部的上表面，且该钝化保护层与该抵接部的侧壁直接接触。

18.如权利要求17所述的电子元件封装体的制造方法，其中该抵接部包括铜、镍、金、焊料、或其组合且该抵接部是通过电镀法而形成的。

19.如权利要求18所述的电子元件封装体的制造方法，还包括在该重布线与该导电垫结构之间形成一晶种层。

20.如权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法，其中该钝化保护层由感光或非感光防焊材料所构成。