[发明专利]芯片测试方法及锂电池保护芯片的测试电路

权利要求书

1.一种芯片测试方法，所述芯片管脚包括地管脚，所述芯片包括第一芯片单元和第二芯片单元，所述第一芯片单元与所述地管脚连接，所述第二芯片单元不与所述地管脚连接，其特征在于，所述芯片测试方法包括如下步骤：

先使所述地管脚悬空；

再采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试。

2.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试包括根据所述第二芯片单元的待测参数来设置相应的芯片管脚的电位。

3.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述芯片为锂电池保护芯片，所述芯片管脚还包括电源管脚、检测电流/电压输入管脚、公共漏极管脚和电源负极/负载输入管脚，

所述第一芯片单元包括充放电控制芯片，所述第二芯片单元包括MOS管，其中，

所述充放电控制芯片与所述电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚相连，所述充放电控制芯片包括充电开关控制端；所述MOS管的栅极与所述充放电控制芯片的充电开关控制端连接，漏极与公共漏极管脚连接，源极与电源负极/负载输入管脚连接。

4.如权利要求3所述的芯片测试方法，其特征在于，采用共地源测试装置对所述MOS管进行测试包括：采用共地源测试装置测试所述MOS管的源漏极击穿电压或漏极饱和电流。

5.如权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于，所述采用共地源测试装置测试所述MOS管的源漏极击穿电压包括：将所述锂电池保护芯片的电源管脚、检测电流/电压输入管脚及地管脚相连并将所述电源管脚悬空或置零，将电源负极/负载输入管脚接地，通过共地源测试装置向公共漏极管脚提供电流以测试所述MOS管的源漏极击穿电压。

6.如权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于，所述采用共地源测试装置测试所述MOS管的漏极饱和电流包括：将所述锂电池保护芯片的电源管脚、检测电流/电压输入管脚及地管脚相连并将所述电源管脚悬空或置零，将电源负极/负载输入管脚接地，通过共地源测试装置向公共漏极管脚提供电压以测试所述MOS管的漏极饱和电流。

7.一种锂电池保护芯片的测试电路，所述锂电池保护芯片的管脚包括电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚、电源负极/负载输入管脚、公共漏极管脚，其特征在于，所述测试电路包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第一共地源测试装置，其中，

所述地管脚通过第一开关单元与大地连接，通过第三开关单元与所述电源管脚连接，以及通过第三开关单元、第四开关单元与所述检测电流/电压输入管脚连接；

所述电源管脚悬空；

所述电源负极/负载输入管脚通过第二开关单元与大地连接；

所述公共漏极管脚与第一共地源测试装置连接。

8.如权利要求7所述的锂电池保护芯片的测试电路，其特征在于，所述第一共地源测试装置适于向公共漏极管脚提供电流或电压。

9.一种锂电池保护芯片的测试电路，所述锂电池保护芯片的管脚包括电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚、电源负极/负载输入管脚、公共漏极管脚，其特征在于，所述测试电路包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第一共地源测试装置和第二共地源测试装置，其中，

所述地管脚通过第一开关单元与大地连接，通过第三开关单元与所述电源管脚连接，以及通过第三开关单元、第四开关单元与所述检测电流/电压输入管脚连接；

所述电源管脚与所述第二共地源测试装置连接，所述第二共地源测试装置适于向所述电源管脚提供0V电压；

所述电源负极/负载输入管脚通过第二开关单元与大地连接；

所述公共漏极管脚与第一共地源测试装置连接。

10.如权利要求9所述的锂电池保护芯片的测试电路，其特征在于，所述第一共地源测试装置适于向公共漏极管脚提供电流或电压。