[发明专利]芯片测试方法及锂电池保护芯片的测试电路

说明书

技术领域

本发明涉及芯片测试领域，特别涉及一种芯片测试方法及锂电池保护芯片的测试电路。

背景技术

随着集成电路产业的发展，对集成电路进行测试也显得越来越重要。就目前而言集成电路的测试一般采用专用测试仪器和通用测试仪器。由于专用测试仪器的局限性、非标准性及专用测仪器的开发周期过长等问题使得专用测试仪器的使用受到了较大的限制。而通用测试仪器(ATE：Automatic test equipment)则以它的通用性、标准性、便捷性以及开放性迅速成为了集成电路测试行业的主流。

在低成本的ATE中，无论是进口还是国产的，如LTX-CREDENCE的ASL1000及ACCOTEST的STS8107测试机，其DC测试装置，一般而言主要就是电压/电流(V/I)源，大部分都工作在共地模式。所谓共地模式是指测试源或被测芯片其电压参考电位是相对于大地的，电路的回流点也是大地。对于大部分的单个芯片而言，由于其电压参考电位均相对于大地而言，因此采用共地源测试装置就可以对其进行测试，且采用共地源测试装置进行测试，测试成本低。

然而，目前的集成电路(IC)大部分都不会仅由一个芯片封装而成，例如：对于“两芯合一”的锂电池保护IC而言，其内部除了包含充放电控制芯片外，还包括了将2个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)集成在一个芯片，此时如果仍然采用共地源测试装置对IC内部的MOSFET芯片进行测试的话，会导致无法测试MOSFET芯片的某些参数，如：源漏极击穿电压、漏极饱和电流等。若采用浮地源测试装置测试的话，又会导致测试成本的增加。而对于其他的“两芯合一”的芯片而言，当封装在其内的芯片所在回路的参考电位不为地时，即其所在的电路为浮地电路时，无法直接使用共地源测试装置来测试所述芯片的相关参数。

公开号为101750580A的中国专利申请公开了一种集成电路中功能模块芯片的测试方法，但是对于上述问题并未涉及。

发明内容

本发明解决的是现有技术中芯片电路为浮地电路时，无法用共地源测试装置对所述芯片进行测试的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种芯片测试方法，所述芯片管脚包括地管脚，所述芯片包括第一芯片单元和第二芯片单元，所述第一芯片单元与所述地管脚连接，所述第二芯片单元不与所述地管脚连接，所述芯片测试方法包括如下步骤：

先使所述地管脚悬空；

再采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试。

可选的，所述采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试包括根据所述第二芯片单元的待测参数来设置相应的芯片管脚的电位。

可选的，所述芯片为锂电池保护芯片，所述芯片管脚还包括电源管脚、检测电流/电压输入管脚、公共漏极管脚和电源负极/负载输入管脚，

所述第一芯片单元包括充放电控制芯片，所述第二芯片单元包括MOS管，

其中，所述充放电控制芯片与所述电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚相连，所述充放电控制芯片包括充电开关控制端；所述MOS管的栅极与所述充放电控制芯片的充电开关控制端连接，漏极与公共漏极管脚连接，源极与电源负极/负载输入管脚连接。

可选的，采用共地源测试装置对所述MOS管进行测试包括：采用共地源测试装置测试所述MOS管的源漏极击穿电压或漏极饱和电流。

可选的，所述采用共地源测试装置测试所述MOS管的源漏极击穿电压包括：将所述锂电池保护芯片的电源管脚、检测电流/电压输入管脚及地管脚相连并将所述电源管脚悬空或置零，将电源负极/负载输入管脚接地，通过共地源测试装置向公共漏极管脚提供电流以测试所述MOS管的源漏极击穿电压。

可选的，所述采用共地源测试装置测试所述MOS管的漏极饱和电流包括：将所述锂电池保护芯片的电源管脚、检测电流/电压输入管脚及地管脚相连并将所述电源管脚悬空或置零，将电源负极/负载输入管脚接地，通过共地源测试装置向公共漏极管脚提供电压以测试所述MOS管的漏极饱和电流。

与现有技术相比，上述芯片测试方法具有以下优点：

通过先将芯片的地管脚悬空使得共地的第一芯片单元停止工作，在很大程度上降低了测试过程中第一芯片单元对第二芯片单元的影响，然后可以采用共地源测试装置对浮地的第二芯片单元进行测试，无需在现有通用测试仪器的基础上增加浮地源测试装置，降低了芯片测试的成本。