[发明专利]Cu－Ga合金的切断方法

说明书

本专利申请主张基于日本专利申请第2010－069480号（2010年3月25日提出申请）的巴黎条约上的优先权，通过在这里引用，将上述申请中记载的全部内容组合到本说明书中。

技术领域

本发明涉及Cu－Ga合金块的切断方法及溅射靶的制造方法。

背景技术

以往，溅射靶通过将熔化铸造为例如300mm×400mm×1000mm的大小的长方体形状的合金（锭）使用车床或圆锯切断为几部分、将切断后的合金片（扁坯）轧制、切削来制造。

并且，由Ga的组成比较大的Cu－Ga合金构成的溅射靶主要被用于构成薄膜型太阳电池的光吸收层的薄膜形成。

但是，Ga的组成比较大的Cu－Ga合金一般缺乏延性及展性，硬度较高而容易破裂（较脆）。因此，如果对例如长方体形状的Cu－Ga合金块实施包括切断加工的塑性加工等加工，则在加工后的该Cu－Ga合金中容易发生裂纹、或产生破裂或缺口。为了将发生了这样的不良状况的Cu－Ga合金作为溅射靶使用，必须将例如发生了裂纹的部分等切削除去。此外，由于在发生的切削屑中通过切削而混入杂质，所以例如在将Cu－Ga合金作为溅射靶使用的情况下，难以将该切削屑作为Cu－Ga合金再利用。因此，发生不能再利用的大量的切削屑，Cu－Ga合金的产品的成品率变差。

进而，一般被作为溅射靶使用的Cu－Ga合金中的、Ga的组成比大到25摩尔%（约26.8重量%）以上的Cu－Ga合金（所谓的硬脆材）特别硬度较高而容易破裂（较脆），所以实施塑性加工等加工是特别困难的。

鉴于此，为了防止上述不良状况，通常Ga的组成比较大的Cu－Ga合金与陶瓷等的成形同样，通过将Cu－Ga合金粉末烧结而成形（制造）为希望的形状。

但是，在通过将粉末烧结而制造希望的形状的Cu－Ga合金的方法中，与实施塑性加工等的加工而制造的方法相比，虽然能够改善Cu－Ga合金的产品的成品率，但该产品的生产率变低。

此外，还提出了通过熔化铸造进行的溅射靶用的Cu－Ga合金的制造方法（例如专利文献1），但在该方法中，每次变更希望的Cu－Ga合金的形状，必须新准备匹配于该形状的模，所以生产率很低。

专利文献1：特开2000－73163（2000年3月7日公开）。

发明内容

在该状况下，本发明的主要目的是提供一种即使是Ga的组成比较大的Cu－Ga合金块、也能够不发生裂纹、或产生破裂或缺口而将其切断、切断（加工）为希望的形状的Cu－Ga合金的切断方法。此外，本发明的另一目的在于提供一种生产率良好地制造由Ga的组成比较大的Cu－Ga合金构成的溅射靶的方法。

有关本发明的Cu－Ga合金的切断方法为了解决上述课题，包括通过片锯加工将Cu－Ga合金块切断。

即，本发明包含以下的优选的形态。

［1］一种Cu－Ga合金块的切断方法，其特征在于，通过片锯加工将Cu－Ga合金块切断。

［2］如［1］所述的切断方法，切断速度是0.01mm/分以上、0.8mm/分以下。

［3］如［1］或［2］所述的切断方法，切断前的Cu－Ga合金块的形状是长方体，将该Cu－Ga合金块切断以使该长方体的最短的边与切断面交叉。

［4］如［3］所述的切断方法，上述长方体的最短的边的长度是70mm以下。

［5］如［1］～［4］中任一项所述的切断方法，Cu－Ga合金块中的Ga的组成比是10摩尔%以上、50摩尔%以下。

［6］如［1］～［5］中任一项所述的Cu－Ga合金块的切断方法，其特征在于，得到的Cu－Ga合金的用途是溅射靶。

［7］如［1］～［6］中任一项所述的切断方法，Cu－Ga合金块是通过熔化铸造制造的。

［8］一种制造溅射靶的方法，包括：通过熔化铸造制造Cu－Ga合金块的工序；及通过片锯加工将该Cu－Ga合金块切断的工序。

［9］如［8］所述的方法，切断速度是0.01mm/分以上、0.8mm/分以下。

［10］如［8］或［9］所述的方法，切断前的Cu－Ga合金块的形状是长方体，将该Cu－Ga合金块切断以使该长方体的最短的边与切断面交叉。

［11］如［10］所述的方法，上述长方体的最短的边的长度是70mm以下。

［12］如［8］～［11］中任一项所述的方法，Cu－Ga合金块中的Ga的组成比是10摩尔%以上、50摩尔%以下。