[发明专利]一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体，其特征在于锆铒镱三掺铌酸锂晶体是由氧化锆、氧化铒、氧化镱、五氧化二铌和碳酸锂五种原料制成的，其中，碳酸锂和五氧化二铌的摩尔比为0.946∶1，氧化锆摩尔量占五种原料总摩尔量的1％～5％，氧化铒摩尔量占五种原料总摩尔量的0.5％～3％，氧化镱摩尔量占五种原料总摩尔量的0.5％～3％。

2.根据权利要求1所述的一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体，其特征在于氧化锆、氧化铒、氧化镱、五氧化二铌和碳酸锂五种原料的质量纯度均为99.99％。

3.根据权利要求1或2所述的一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体，其特征在于氧化锆摩尔量占五种原料总摩尔量的2％。

4.根据权利要求1或2所述的一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体，其特征在于氧化铒摩尔量占五种原料总摩尔量的1％。

5.根据权利要求1或2所述的一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体，其特征在于氧化镱摩尔量占五种原料总摩尔量的1％。

6.如权利要求1所述的锆铒镱三掺铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于锆铒镱三掺铌酸锂晶体的制备方法是通过以下步骤实现的：一、称取氧化锆、氧化铒、氧化镱、五氧化二铌和碳酸锂五种原料，然后将五种原料混合均匀得混合料，其中碳酸锂和五氧化二铌的摩尔比为0.946∶1，氧化锆摩尔量占五种原料总摩尔量的1％～5％，氧化铒摩尔量占五种原料总摩尔量的0.5％～3％，氧化镱摩尔量占五种原料总摩尔量的0.5％～3％；二、将步骤一的混合料放入铂坩埚中，升温至750℃～800℃，然后保温2h～4h，再升温至1100℃～1200℃，并保温2～5h，得多晶粉体；三、将步骤二的装有掺杂铌酸锂的多晶原料的铂坩埚放入单晶生长炉内，升温至1200～1300℃，然后保温30～60min，得熔液；四、采用提拉法进行晶体生长得晶体，其中控制轴向温度梯度为40～50℃/cm，等径生长阶段控制提拉速度为0.3～1.8mm/h，旋转速度15～25rpm，降温速度为0.5～1.5℃/h；五、将步骤四得到晶体在温度为1150～1200℃、电流密度为4～6mA/cm²的条件下极化，极化时间为20～40min，得锆铒镱三掺铌酸锂晶体，完成锆铒镱三掺铌酸锂晶体的制备。

7.根据权利要求6所述的锆铒镱三掺铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于步骤一中五种原料的质量纯度均为99.99％。

8.根据权利要求6或7所述的锆铒镱三掺铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于步骤一中氧化锆摩尔量占五种原料总摩尔量的2％。

9.根据权利要求6或7所述的锆铒镱三掺铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于步骤一中氧化铒摩尔量占五种原料总摩尔量的1％。

10.根据权利要求6或7所述的锆铒镱三掺铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于步骤一中氧化镱摩尔量占五种原料总摩尔量的1％。