[发明专利]真空清洗装置

权利要求书

1.一种真空清洗装置，包括可容纳清洗液的清洗槽、支撑半导体产品并浸到所述清洗液中的支撑装置、对所述清洗液施加超声波振动的振动施加装置、以及设置于所述清洗槽的下方，并对所述清洗液加热的加热装置；其特征在于：还包括抽气装置，其用于在清洗过程中连续抽出所述清洗槽中的空气，从而至少制造局部真空环境，使得所述清洗液在低于沸点的温度下沸腾，进而在半导体产品的任意位置上将其清洗。

2.如权利要求1所述的真空清洗装置，其特征在于：所述加热装置包括若干加热管以及一热水泵。

3.如权利要求2所述的真空清洗装置，其特征在于：所述加热管设置于所述清洗槽的下方的内壁或外壁。

4.如权利要求2所述的真空清洗装置，其特征在于：所述加热管的温度在30℃～45℃之间。

5.如权利要求1所述的真空清洗装置，其特征在于：还包括冷却装置，所述冷却装置设置于所述清洗槽的上方，用于将所述清洗液的蒸气冷却成冷凝液。

6.如权利要求5所述的真空清洗装置，其特征在于：所述冷却装置包括若干冷却管以及一冷却水泵。

7.如权利要求6所述的真空清洗装置，其特征在于：所述冷却管设置于所述清洗槽的上方的内壁或外壁。

8.如权利要求6所述的真空清洗装置，其特征在于：所述冷却管的温度在10℃～15℃之间。

9.如权利要求1所述的真空清洗装置，其特征在于：所述抽气装置制造的真空环境的压强在0～25kPa之间。

10.如权利要求1所述的真空清洗装置，其特征在于：还包括壳罩及橡胶垫，所述壳罩覆盖于所述清洗槽之上，所述橡胶垫通过一固定件固定于所述壳罩和所述清洗槽之间。

11.如权利要求1所述的真空清洗装置，其特征在于：所述清洗液为异丙醇。

12.如权利要求1所述的真空清洗装置，其特征在于：所述半导体产品为半导体晶片、芯片或磁头。