[发明专利]真空清洗装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于清洗半导体产品的装置，尤其涉及一种用以清洗磁盘驱动器的磁头的真空清洗装置。

背景技术

随着亚微型尺寸的高密度电路的发展，将半导体产品表面上的不必要的污染物去掉显得非常必要，这些半导体产品例如是高密度芯片、晶片或用于磁盘驱动器上的磁头，等等。

其中，随着磁头的加工精度的发展，磁头的空气承载面(ABS)上的图案变得越来越复杂。因此，形成该ABS的蚀刻工艺十分繁复，其采用大量的胶水、冷却剂等。当通过磁头分割工艺生产出单一磁头后，胶水、冷却剂和磨剂的残余物会残余在磁头的ABS上。因此，磁头的清洗工艺在磁头分割后显得十分重要。

目前使用的有几种清洗方法和清洗装置。其中图1a、1b、2a、2b展示了一种传统的方法、装置。如图1a、1b所示，由多个盒体404承载的多个磁头406被浸在充满清洗液403的清洗槽401中。其中，盒体404由一框架405承载。该清洗液403包括去离子水、H₂SO₄、H₂O₂或酒精。在盒体404上设置多个孔407，从而使得清洗液403自由流出或流入。如图2a所示，在清洗槽401的底壁上设有超声波换能器402，用以向清洗液403提供振动，从而使其产生气泡501和波浪502。当超声波换能器402工作时，产生气泡501和波浪502，该气泡501在接触到清洗槽403内的物体的表面时会发生爆破。具体地，气泡501接触到盒体404的下表面和磁头406的下表面时发生爆破，从而将磁头406下表面上的污垢和残余物清洗干净。然而，一方面，只依靠于超声波换能器402的清洗能力很小；另一方面，气泡501只在磁头406的下表面和位于框架405的下方的磁头406上发生爆破，因此，磁头406的上表面和位于框架405上方的磁头无法被清洗干净。

图3展示了另一种清洗方法和清洗装置。该装置在清洗槽401的底部增设了一个加热丝601，其使得清洗液403沸腾从而产生更多的气泡501。诚然，该种结合超声波换能器402和加热丝601的清洗方法的清洗效果较上述的方法好，但是却带来其他问题。由于当加热丝601持续工作时，清洗液403一直保持高温，因此，清洗液403在持续高温下十分容易挥发。一方面，造成清洗液403的浪费，使得成本增加；另一方面，当清洗液403减少到低于加热丝601时，潜在火灾的危险，这将损坏清洗物和超声波换能器402或其他设备。因此，该种清洗方法仍然不理想。

因此，亟待一种改进的清洗装置以克服上述缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有抽气装置的真空清洗装置，其清洗效果好、清洗环境安全性高，而且减小清洗液的浪费，节省成本。

为实现上述目的，本发明提供了一种真空清洗装置，其包括可容纳清洗液的清洗槽、支撑半导体产品并浸到所述清洗液中的支撑装置、对所述清洗液施加超声波振动的振动施加装置、以及设置于所述清洗槽的下方，并对所述清洗液加热的加热装置；其特征在于：还包括抽气装置，其用于在清洗过程中连续抽出所述清洗槽中的空气，从而至少制造局部真空环境，使得所述清洗液在低于沸点的温度下沸腾，进而在半导体产品的任意位置上将其清洗。

作为一个优选实施例，所述加热装置包括若干加热管以及一热水泵。

较佳地，所述加热管设置于所述清洗槽的下方的内壁或外壁。

较佳地，所述加热管的温度在30℃～45℃之间。

作为另一实施例，所述真空清洗装置还包括冷却装置，所述冷却装置设置于所述清洗槽的上方，用于将所述清洗液的蒸气冷却成冷凝液。

较佳地，所述冷却装置包括若干冷却管以及一冷却水泵。

较佳地，所述冷却管设置于所述清洗槽的上方的内壁或外壁。

较佳地，所述冷却管的温度在10℃～15℃。

作为再一优选实施例，所述抽气装置制造的真空环境的压强在0～25kPa之间。

较佳地，所述真空清洗装置还包括壳罩及橡胶垫，所述壳罩覆盖于所述清洗槽之上，所述橡胶垫通过一固定件固定于所述壳罩和所述清洗槽之间。

较佳地，所述清洗液为异丙醇。

较佳地，所述半导体产品为半导体晶片、芯片或磁头。