[发明专利]一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种非晶氧化物薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极以及钝化保护层，其特征在于，所述半导体有源层为沟道层和欧姆接触层的双层结构，且所述沟道层比所述欧姆接触层的含氧量高；

所述沟道层与所述栅绝缘层相贴合，所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区，且所述两个独立的欧姆接触区分别与所述源极、漏极相贴合。

2.根据权利要求1所述的非晶氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道层是在含氧气氛下溅射非晶氧化物材料形成的；所述欧姆接触层是在不含氧气氛下溅射非晶氧化物材料形成的。

3.根据权利要求1或2所述的非晶氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述两个独立的欧姆接触区之间形成有刻蚀保护层，所述刻蚀保护层位于所述沟道层与所述钝化保护层之间。

4.一种液晶显示面板，包括：栅线和数据线所限定的像素单元；所述像素单元中形成有非晶氧化物薄膜晶体管，该非晶氧化物薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极以及钝化保护层，其特征在于，所述半导体有源层为沟道层和欧姆接触层的双层结构，且所述沟道层比所述欧姆接触层的含氧量高；

所述沟道层与所述栅绝缘层相贴合，所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区，且所述两个独立的欧姆接触区分别与所述源极、漏极相贴合。

5.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述沟道层是在含氧气氛下溅射非晶氧化物材料形成的；所述欧姆接触层是在不含氧气氛下溅射非晶氧化物材料形成的。

6.根据权利要求4或5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述两个独立的欧姆接触区之间形成有刻蚀保护层，所述刻蚀保护层位于所述沟道层与所述钝化保护层之间。

7.一种非晶氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

步骤a、在制作半导体有源层的过程中，分别制作沟道层和欧姆接触层以形成所述半导体有源层；所述沟道层比所述欧姆接触层的含氧量高；

所述沟道层与所述栅绝缘层相贴合，所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区，且所述两个独立的欧姆接触区分别与所述源极、漏极相贴合。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，步骤a包括：

步骤a11、在含氧气氛下向基板溅射非晶氧化物材料，形成第一半导体有源层薄膜；在不含氧气氛下溅射非晶氧化物材料，形成第二半导体有源层薄膜；

步骤a12、在完成步骤a11的基板上，经过光刻工艺图形化所述第一半导体有源层薄膜和第二半导体有源层薄膜，形成沟道层；

步骤a13、在完成步骤a12的基板上，经过光刻工艺图形化所述第二半导体有源层薄膜，形成欧姆接触层且所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，步骤a包括：

步骤a20、在基板上涂覆光刻胶，并经过曝光、剥离工艺除去沟道层区域的光刻胶；

步骤a21、在含氧气氛下向完成步骤a20的基板溅射非晶氧化物材料，形成第一半导体有源层薄膜；在不含氧气氛下溅射非晶氧化物材料，形成第二半导体有源层薄膜；

步骤a22、在完成步骤a21的基板上，经过剥离工艺除去第一半导体有源层薄膜带光刻胶的部分和第二半导体有源层薄膜带光刻胶的部分，形成沟道层；

步骤a23、在完成步骤a22的基板上，经过光刻工艺图形化所述第二半导体有源层薄膜，形成欧姆接触层且所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区。

10.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，所述非晶氧化物材料为氧化锌ZnO基或二氧化锡SnO₂基氧化物。

11.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，所述非晶氧化物材料为氧化锌锡ZTO、氧化铟锡ITO、氧化锌铟ZIO、氧化铟镓IGO、氧化铟镓锌IGZO、氧化铝锌锡AZTO中的至少一种。

12.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，所述含氧气氛为分压比范围为O₂/Ar＝0％～30％的氧氩混合气氛，所述不含氧气氛为纯氩气氛。