[发明专利]晶片封装体

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一光学元件，设置于该第一表面上；

一导电层，位于该第二表面上，且电性连接该光学元件；

一保护层，设置于该第二表面及该导电层之上，该保护层具有一开口，露出该导电层；

一导电凸块，设置于该第二表面上，该导电凸块具有一底部部分及一上部部分，该底部部分填充于该开口中而与露出的该导电层电性接触，该上部部分位于该开口之外，并朝远离该开口的方向延伸；

一凹陷，自该导电凸块的一表面朝向该导电凸块的内部延伸；以及

一遮光层，设置于该第二表面上，且延伸至该导电凸块的该上部部分之下，并部分位于该凹陷之中而与部分的该导电凸块重叠。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，部分该遮光层位于该导电凸块与该保护层之间。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，部分该遮光层位于该导电凸块与该导电层之间。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，部分该保护层介于该导电凸块与该遮光层之间。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层不与该导电凸块直接接触。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一凸块下金属层，该凸块下金属层位于该导电凸块与该导电层之间，且位于该导电凸块与该遮光层之间。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，部分该遮光层直接接触该凸块下金属层。

8.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层不直接接触该凸块下金属层。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层包括一负型光致抗蚀剂。

10.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层至少包括一金属材料层与一绝缘层，该绝缘层至少介于该金属材料层与该凸块下金属层之间，或至少介于该金属材料层与该导电层之间。

11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一孔洞，该孔洞自该第二表面朝该第一表面延伸，且该导电层延伸于该孔洞的一侧壁。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层不位于该孔洞之中。

13.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该保护层延伸至该导电凸块的该上部部分之下而与部分的该导电凸块重叠。

14.根据权利要求13所述的晶片封装体，其特征在于，该导电凸块与该保护层重叠的部分大于该导电凸块与该遮光层重叠的部分。

15.根据权利要求13所述的晶片封装体，其特征在于，该导电凸块与该保护层重叠的部分小于该导电凸块与该遮光层重叠的部分。

16.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该凹陷的一侧壁具有一平坦表面，该平坦表面平行于该基底的该第二表面。

17.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层不直接接触该导电层。

18.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层直接接触该导电层。

19.根据权利要求11所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层具有一侧边缘，该侧边缘位于该孔洞与该光学元件之间。

20.根据权利要求19所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层的该侧边缘位于导电垫结构于该第二表面上的一正投影区域之中。