[发明专利]晶片封装体有效
申请号: | 201110076203.5 | 申请日: | 2011-03-23 |
公开(公告)号: | CN102201458A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 邱新智;郑家明;许传进;楼百尧 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0216;H01L33/48;H01L33/54 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 封装 | ||
技术领域
本发明有关于晶片封装体,且特别是有关于光学感测晶片或发光晶片的封装体。
背景技术
光感测元件或发光元件等光电元件在撷取影像或照明的应用中扮演着重要的角色,这些光电元件均已广泛地应用于例如是数字相机(digital camera)、数字摄录象机(digital video recorder)、移动电话(mobile phone)、太阳能电池、屏幕、照明设备等的电子元件中。
随着科技的演进,对于光感测元件的感测精准度或发光元件的发光精准度的需求亦随之提高。
发明内容
本发明提供一种晶片封装体,包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一光学元件,设置于该第一表面上;一导电层,位于该第二表面上,且电性连接该光学元件;一保护层,设置于该第二表面及该导电层之上,该保护层具有一开口,露出该导电层;一导电凸块,设置于该第二表面上,该导电凸块具有一底部部分及一上部部分,该底部部分填充于该开口中而与露出的该导电层电性接触,该上部部分位于该开口之外,并朝远离该开口的方向延伸;一凹陷,自该导电凸块的一表面朝向该导电凸块的内部延伸;以及一遮光层,设置于该第二表面上,且延伸至该导电凸块的该上部部分之下,并部分位于该凹陷之中而与部分的该导电凸块重叠。
本发明所述的晶片封装体,部分该遮光层位于该导电凸块与该保护层之间。
本发明所述的晶片封装体,部分该遮光层位于该导电凸块与该导电层之间。
本发明所述的晶片封装体,部分该保护层介于该导电凸块与该遮光层之间。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层不与该导电凸块直接接触。
本发明所述的晶片封装体,还包括一凸块下金属层,该凸块下金属层位于该导电凸块与该导电层之间,且位于该导电凸块与该遮光层之间。
本发明所述的晶片封装体,部分该遮光层直接接触该凸块下金属层。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层不直接接触该凸块下金属层。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层包括一负型光致抗蚀剂。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层至少包括一金属材料层与一绝缘层,该绝缘层至少介于该金属材料层与该凸块下金属层之间,或至少介于该金属材料层与该导电层之间。
本发明所述的晶片封装体,还包括一孔洞,该孔洞自该第二表面朝该第一表面延伸,且该导电层延伸于该孔洞的一侧壁。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层不位于该孔洞之中。
本发明所述的晶片封装体,该保护层延伸至该导电凸块的该上部部分之下而与部分的该导电凸块重叠。
本发明所述的晶片封装体,该导电凸块与该保护层重叠的部分大于该导电凸块与该遮光层重叠的部分。
本发明所述的晶片封装体,该导电凸块与该保护层重叠的部分小于该导电凸块与该遮光层重叠的部分。
本发明所述的晶片封装体,该凹陷的一侧壁具有一平坦表面,该平坦表面平行于该基底的该第二表面。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层不直接接触该导电层。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层直接接触该导电层。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层具有一侧边缘,该侧边缘位于该孔洞与该光学元件之间。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层的该侧边缘位于导电垫结构于该第二表面上的一正投影区域之中。
本发明所述的晶片封装体可使光学元件更为精确地运作而不受光线或噪声的影响。
附图说明
图1A至图1C显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。
图2A至图2C显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。
图3A至图3B显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。
图4A至图4C显示根据本发明多个实施例的晶片封装体的剖面图。
图5显示根据本发明一实施例的晶片封装体的导电垫结构示意剖面。
图6A至图6B分别显示根据本发明实施例的晶片封装体的剖面图。
图7A至图7B显示根据本发明实施例的晶片封装体的俯视示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的