[发明专利]半导体结构体、半导体结构体的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体结构体，其特征在于，具有：

半导体基板，在规定区域中设有电子电路；

配线，设在上述半导体基板上的上述规定区域的外部；

外部连接用电极，设在上述配线上；

密封树脂，设置为使该密封树脂将上述外部连接用电极的侧面覆盖；以及

壁，介于上述电子电路及上述密封树脂之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构体，其特征在于，

上述规定区域被上述壁包围。

3.如权利要求1所述的半导体结构体，其特征在于，

上述壁由与上述外部连接用电极相同的材料形成。

4.如权利要求1所述的半导体结构体，其特征在于，

上述壁的上表面的高度与上述外部连接用电极的上表面的高度相等。

5.如权利要求1所述的半导体结构体，其特征在于，

上述密封树脂的上表面的高度与上述外部连接用电极的上表面的高度相等。

6.如权利要求1所述的半导体结构体，其特征在于，

上述壁被接地。

7.如权利要求6所述的半导体结构体，其特征在于，

上述半导体基板具有接地用的连接焊盘，上述接地用连接焊盘经由接地用配线而与上述壁连接。

8.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体结构体，具备在规定区域中设有电子电路的半导体基板、设在上述半导体基板上的上述规定区域的外部的配线、设在上述配线上的外部连接用电极、设置为覆盖上述外部连接用电极的侧面的密封树脂、和介于上述电子电路及上述密封树脂之间的壁，该半导体结构体配置在上述基板上；

中间绝缘层，设在上述半导体结构体的周围；以及

下侧绝缘层，与上述中间绝缘层的下表面及上述半导体结构体的下表面相接。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

在上述中间绝缘层的上表面设有上侧绝缘层。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

上述上侧绝缘层将上述半导体结构体的上述规定区域以外的区域覆盖。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

上述上侧绝缘层具有通孔；

在上述上侧绝缘层上设有配线，该配线经由上述通孔而与上述外部连接用电极连接。

12.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

上述上侧绝缘层的与上述半导体结构体的上述规定区域对应的位置开口。

13.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

还具备填充到比上述壁靠内侧的区域中、将上述规定区域密封的透明树脂。

14.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

具备配置在上述壁的上部、将上述规定区域的上部空间密封的盖。

15.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

上述盖是透明的。

16.一种半导体结构体的制造方法，其特征在于，具有以下的工序：

在规定区域中设有电子电路的半导体基板的上述规定区域的外部形成配线；

在上述配线上形成外部连接用电极、同时形成包围上述规定区域的壁。

17.如权利要求16所述的半导体结构体的制造方法，其特征在于，

将上述外部连接用电极及上述壁通过电解镀而同时形成。

18.如权利要求16所述的半导体结构体的制造方法，其特征在于，

在上述壁的上部载置将上述规定区域的上部空间封堵的盖；

将密封上述连接焊盘及上述配线的密封树脂填充到比上述壁靠外侧的区域中。

19.如权利要求18所述的半导体结构体的制造方法，其特征在于，

将上述盖除去；

将上述密封树脂、上述外部连接用电极及上述壁进行上表面切削。

20.如权利要求18所述的半导体结构体的制造方法，其特征在于，

将上述密封树脂、上述外部连接用电极及上述壁与上述盖一起进行上表面切削。