[发明专利]半导体结构体、半导体结构体的制造方法及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体结构体、半导体结构体的制造方法、以及封装有半导体结构体的半导体装置。

背景技术

提出了一种在半导体晶片上、除了一般的电子电路以外还形成有具有MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)的特殊的电子电路的、作为半导体结构体的电子电路(例如参照日本特开2005-109221号公报)。作为MEMS，有加速度传感器(例如参照日本特开2009-72848号公报)、悬臂(例如参照日本特开2004-209585号公报)等的机械元件、光学元件等。

在这样的具有机械元件的半导体结构体的封装中，为了机械元件的动作而需要空间。此外，在具有光学元件的半导体结构体的封装中，需要光入射或射出的场所。

发明内容

本发明的优点是，提高植入有这样的在电子电路的周围需要空间的半导体结构体的半导体装置的生产性。

半导体结构体具有：

半导体基板，在规定区域中设有电子电路；

配线，设在上述半导体基板上的上述规定区域的外部；

外部连接用电极，设在上述配线上；

密封树脂，设置为，使其将上述外部连接用电极的侧面覆盖；

壁，夹在上述电子电路及上述密封树脂之间。

根据本发明，能够提高在电子电路的周围需要空间的半导体结构体及具备半导体结构体的半导体装置的生产性。

本发明通过以下的详细的说明及附图应能更充分地理解，但这些是专门用来说明的，并不限定本发明的范围。

附图说明

图1是表示有关本发明的第1实施方式的半导体装置100A的俯视图。

图2是图1的II-II向视剖视图。

图3是表示有关本发明的第1实施方式的半导体结构体1A的俯视图。

图4是图3的IV-IV向视剖视图。

图5是半导体结构体1A的制造方法的说明图。

图6是半导体结构体1A的制造方法的说明图。

图7是半导体结构体1A的制造方法的说明图。

图8是半导体结构体1A的制造方法的说明图。

图9是半导体结构体1A的制造方法的说明图。

图10是半导体结构体1A的制造方法的说明图。

图11是半导体结构体1A的制造方法的说明图。

图12是半导体结构体1A的制造方法的说明图。

图13是表示半导体结构体1A的制造中途的切割前的硅基板的俯视图。

图14是图13的XIV-XIV向视剖视图。

图15是表示半导体结构体1A的制造中途的切割前的硅基板的俯视图。

图16是图15的XVI-XVI向视剖视图。

图17是表示半导体结构体1A的制造中途的切割前的硅基板的俯视图。

图18是图17的XVIII-XVIII向视剖视图。

图19是表示半导体结构体1A的制造中途的切割前的硅基板的俯视图。

图20是图19的XX-XX向视剖视图。

图21是半导体装置100A的制造方法的说明图。

图22是半导体装置100A的制造方法的说明图。

图23是半导体装置100A的制造方法的说明图。

图24是半导体装置100A的制造方法的说明图。

图25是半导体装置100A的制造方法的说明图。

图26是半导体装置100A的制造方法的说明图。

图27是半导体装置100A的制造方法的说明图。

图28是半导体装置100A的制造方法的说明图。

图29是半导体装置100A的制造方法的说明图。

图30是半导体装置100A的制造方法的说明图。

图31是表示有关本发明的第2实施方式的半导体装置100B的与图2同样的剖视图。

图32是表示半导体结构体1B的俯视图。

图33是图32的XXXIII-XXXIII向视剖视图。

图34是表示半导体结构体1B的制造中途的切割前的硅基板的俯视图。

图35是图34的XXXV-XXXV向视剖视图。

图36是表示半导体结构体1B的制造中途的切割前的硅基板的俯视图。

图37是图36的XXXVII-XXXVII向视剖视图。

图38是表示半导体结构体1B的制造中途的切割前的硅基板的俯视图。