[发明专利]在硅外延薄膜形成时使用氯气和/或氯化氢

权利要求书

1.一种在基板上形成外延薄膜的方法，包含：

(a)提供一基板；

(b)将该基板暴露在一硅来源和一碳来源中，以形成含碳硅外延薄膜；

(c)使用封装薄膜封装该含硅外延薄膜；以及

(d)将该基板暴露在氯气中以蚀刻该封装薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含重复步骤(b)至(d)至少一次。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包含至少在步骤(b)期间使用约550℃至650℃的基板温度。

4.如权利要求3所述的方法，进一步包含至少在步骤(b)期间使用低于约600℃的基板温度。

5.如权利要求1所述的方法，其中步骤(c)包含将该基板暴露在不含碳来源的硅来源中以在该含碳硅外延薄膜上形成硅外延薄膜。

6.如权利要求1所述的方法，

其中步骤(b)包含：

(i)将该基板暴露在不含碳来源的硅来源中以形成第一硅外延薄膜；

(ii)将该基板暴露在含有碳来源的硅来源中以在该第一硅外延薄膜上形成含碳硅外延薄膜；

其中步骤(c)包含：

(iii)将该基板暴露在不含碳来源的硅来源中以在该含碳硅外延薄膜上形成第二硅外延薄膜。

7.如权利要求6所述的方法，还包含用于步骤(i)和(iii)的处理时间约为用于步骤(ii)的处理时间的一半。

8.如权利要求1所述的方法，还包含在步骤(b)期间流入HCI。

9.如权利要求1所述的方法，还包含在步骤(b)和(c)期间流入HCI。

10.一种在基板上形成外延薄膜的方法，包含：

(a)提供一基板；

(b)将该基板暴露在一硅来源和一额外元素来源中，以形成含额外元素的硅外延薄膜；

(c)使用封装薄膜封装该含额外元素的硅外延薄膜；以及

(d)将该基板暴露在氯气中以蚀刻该封装薄膜。

11.如权利要求10所述的方法，其中该额外元素来源包含碳来源。

12.如权利要求10所述的方法，其中该额外元素来源包含锗来源。

13.如权利要求10所述的方法，其中该额外元素来源包含硼或磷来源。

14.如权利要求10所述的方法，进一步包含重复步骤(b)至(d)至少一次。

15.如权利要求10所述的方法，进一步包含至少在步骤(b)期间使用约550℃至650℃的基板温度。

16.如权利要求15所述的方法，进一步包含至少在步骤(b)期间使用低于约600℃的基板温度。

17.如权利要求10所述的方法，其中步骤(c)包含将该基板暴露在不含额外元素来源的硅来源中以在该含额外元素的硅外延薄膜上形成硅外延薄膜。

18.如权利要求10所述的方法，

其中步骤(b)包含：

(i)将该基板暴露在不含额外元素来源的硅来源中以形成第一硅外延薄膜；

(ii)将该基板暴露在含有额外元素来源的硅来源中以在该第一硅外延薄膜上形成含额外元素的硅外延薄膜；

其中步骤(c)包含：

(iii)将该基板暴露在不含额外元素来源的硅来源中以在该含额外元素的硅外延薄膜上形成第二硅外延薄膜。

19.如权利要求18所述的方法，还包含用于步骤(i)和(iii)的处理时间约为用于步骤(ii)的处理时间的一半。

20.如权利要求10所述的方法，还包含在步骤(b)期间流入HCI。

21.如权利要求10所述的方法，还包含在步骤(b)和(c)期间流入HCI。