[发明专利]探测单元相对平行度调整装置无效
申请号: | 201110079496.2 | 申请日: | 2011-03-23 |
公开(公告)号: | CN102280518A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 宇田隆;池谷武久;町田洋 | 申请(专利权)人: | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G01R31/26;G01R31/02;G05D3/00 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 徐申民 |
地址: | 日本国东京都武藏*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 探测 单元 相对 平行 调整 装置 | ||
1.一种探测单元相对平行度调整装置,其能够调整探测单元相对于板构件的相对平行度,在所述板构件上设置有沿带状电极的宽度方向并列设置的多个所述带状电极,在所述探测单元上设有下降时与所述各带状电极接触的探针,所述探测单元相对平行度调整装置的特征在于,包括:
对所述探测单元相对于所述板构件的平行度进行调整的倾斜度调整机构;
检测部位不同的多个传感器,其至少能够检测所述探测单元和所述板构件之间的距离;
传感器输出取得单元,其取得从所述探针和所述带状电极之间从非接触状态开始到相对地接近并接触为止的位置变化期间中至少接触前后的来自所述各传感器的输出;和
调整参照信息形成单元,其根据所述传感器输出取得单元所取得的所述各传感器的输出,形成在所述探测单元的平行度调整中所参照的信息。
2.一种探测单元相对平行度调整方法,
其用于调整探测单元相对于板构件的相对平行度,在所述板构件上设置有沿带状电极的宽度方向并列设置的多个所述带状电极,在所述探测单元上设有下降时与所述各带状电极接触的探针,所述探测单元相对平行度调整方法的特征在于,
设置对所述探测单元相对于所述板构件的平行度进行调整的倾斜度调整机构,并预先设置至少能够检测所述探测单元和所述板构件之间的距离的、检测部位不同的多个传感器,
传感器输出取得单元取得来自所述各传感器的输出,该输出是在所述探针和所述带状电极之间从非接触状态到相对地接近并接触为止的位置变化期间、至少接触前后的输出;
调整参照信息形成单元根据所述传感器输出取得单元所取得的所述各传感器的输出,形成在所述探测单元的平行度调整中所参照的信息。
3.一种记录着探测单元相对平行度调整程序的、计算机可读取的记录介质,该程序使能够调整探测单元相对于板构件的相对平行度的探测单元相对平行度调整装置所搭载的计算机起作用,所述板构件上,沿带状电极的宽度方向并列设置有多个所述带状电极,在所述探测单元上设有下降时与所述各带状电极接触的探针,所述记录介质的特征在于,
所述探测单元相对平行度调整装置包括:对所述探测单元相对于所述板构件的平行度进行调整的倾斜度调整机构;和至少能够检测所述探测单元和所述板构件之间的距离的、检测部位不同的多个传感器,
所述探测单元相对平行度调整程序使得所述计算机作为如下单元起作用:
传感器输出取得单元,取得从所述探针和所述带状电极之间从非接触状态开始到相对地接近并接触为止的位置变化期间中至少接触前后的来自所述各传感器的输出;
调整参照信息形成单元,根据所述传感器输出取得单元所取得的所述各传感器的输出,形成在所述探测单元的平行度调整中所参照的信息,
所述记录介质以计算机能够读取的方式记录着使计算机起上述作用的所述探测单元相对平行度调整程序。
4.一种探测单元,其设有探针,该探针与在带状电极的宽度方向上并列设置有多个所述带状电极的板构件的各所述带状电极接触,所述探测单元的特征在于,
至少设有3个传感器,所述传感器至少能够检测所述探测单元和所述板构件之间的距离。
5.一种板输送构件,在其上表面载置并保持板构件,并对所述板构件进行输送,所述板构件沿带状电极的宽度方向并列设置有多个所述带状电极,所述板输送构件的特征在于,
至少设有3个提供探测单元和所述板构件之间的距离信息的传感器,所述探测单元设有下降时与所述板构件的所述各带状电极接触的探针。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本麦可罗尼克斯股份有限公司,未经日本麦可罗尼克斯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110079496.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种弱光可用型化妆盒
- 下一篇:三角形插孔插座
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的