[发明专利]晶片加工用胶带

权利要求书

1.一种晶片加工用胶带，其是可扩张的晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带用于通过扩张将接合剂层沿芯片截断时，其特征在于，

其具有基材膜和设置在所述基材膜上的粘合剂层，

所述基材膜由JIS K7206中规定的维氏软化点为50℃以上且不足90℃的热塑性交联树脂形成，

以JIS K7162中规定的方法，对该晶片加工用胶带的试验片施加10％的拉伸变形后，直接在保持夹具间距离恒定的状态下，在加热至该试验片的温度达到70℃的过程、将该试验片在70℃的温度保持1分钟的过程和其后将该试验片返回室温的过程中，该试验片的最大热收缩应力比即将开始加热之前的初期应力大9MPa以上。

2.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，在所述粘合剂层上层积有接合剂层。

3.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述热塑性交联树脂是用金属离子使乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物交联而得到的离聚物树脂。

4.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述热塑性交联树脂是用金属离子使乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物交联而得到的离聚物树脂。

5.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述热塑性交联树脂是通过电子射线照射使低密度聚乙烯交联而得到的树脂、或通过电子射线照射使超低密度聚乙烯交联而得到的树脂。

6.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述热塑性交联树脂是通过电子射线照射使乙烯-乙酸乙烯酯共聚物交联而得到的树脂。

7.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述热塑性交联树脂中氯原子的含量小于1质量％。

8.如权利要求2所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述晶片加工用胶带用于包括下述工序的半导体装置的制造方法：

(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；

(b)磨削所述半导体晶片背面的背面研磨工序；

(c)在将半导体晶片加热至70～80℃的状态下，在所述半导体晶片的背面贴合所述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；

(d)从所述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；

(e)对所述半导体晶片的分割预定部分照射激光，在该晶片的内部形成多光子吸收所致的改性区域的工序；

(f)通过使所述晶片加工用胶带扩张，将所述半导体晶片和所述接合剂层沿截断线截断，得到带有所述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；

(g)通过使所述晶片加工用胶带的不与所述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在所述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和

(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有所述接合剂层的所述半导体芯片的工序。

9.如权利要求2所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述晶片加工用胶带用于包括下述工序的半导体装置的制造方法：

(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；

(b)磨削所述半导体晶片背面的背面研磨工序；

(c)在将半导体晶片加热至70～80℃的状态下，在半导体晶片的背面贴合所述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；

(d)从所述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；

(e)从所述半导体晶片的表面沿截断线照射激光，截断成一个个半导体芯片的工序；

(f)通过使所述晶片加工用胶带扩张，从而按每个所述半导体芯片将所述接合剂层截断，得到附带有所述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；

(g)通过使所述晶片加工用胶带的不与所述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在所述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和

(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有所述接合剂层的所述半导体芯片的工序。