[发明专利]晶片加工用胶带

说明书

技术领域

本发明涉及通过扩张(ェキスパンド)将接合剂层沿芯片截断时所用的、可扩张的晶片加工用胶带。

背景技术

IC等半导体装置的制造工序中，实施下述工序：磨削晶片背面以使电路图案形成后的晶片减薄的背面研磨工序；在半导体晶片的背面粘附具有粘合性和伸缩性的晶片加工用胶带后，将晶片截断成芯片单元的切割工序；使晶片加工用胶带扩张的工序；拾取截断后的芯片的工序；以及将拾取的芯片粘贴在引线框架或封装基板等上或在堆叠封装中将半导体芯片之间层积、接合的芯片粘贴(die bonding)(装配(mount))工序。

上述背面研磨工序中，使用表面保护带，以保护晶片的电路图案形成面(晶片表面)免受污染。晶片的背面磨削结束后，从晶片表面剥离该表面保护带时，将以下所述的晶片加工用胶带(切割·芯片粘贴带)贴合在晶片背面，然后将切割·芯片粘贴带侧固定在吸附台上，对表面保护带实施降低对晶片的粘接力的处理后，剥离表面保护带。其后，将剥离了表面保护带的晶片以背面贴合有切割·芯片粘贴带的状态从吸附台上取下，供于接下来的切割工序。需要说明的是，上述的降低粘接力的处理在表面保护带由紫外线等能量射线固化性成分构成时，是指紫外线照射处理，在表面保护带由热固性成分构成时，是指热照射(加热)处理。

上述背面研磨工序后的切割工序或装配工序中，使用在基材膜上依次层积有粘合剂层和接合剂层的切割·芯片粘贴带。一般，使用切割·芯片粘贴带时，首先，将切割·芯片粘贴带的接合剂层粘附在半导体晶片的背面，固定半导体晶片，使用划片刀将半导体晶片和接合剂层切割成芯片单元。其后，实施扩张工序，在该工序中通过使带在半导体晶片的径向扩张，扩大芯片之间的间隔。该扩张工序是为了在其后的拾取工序中提高CCD相机等对芯片的识别性、同时防止拾取芯片时相邻的芯片之间接触所产生的芯片破损而实施的。其后，通过拾取工序，将芯片连同接合剂层一起从粘合剂层上剥离，进行拾取，通过装配工序，直接接合在引线框架或封装基板等上。这样，通过使用切割·芯片粘贴带，可以将带有接合剂层的芯片直接接合在引线框架或封装基板等上，所以能够省略接合剂的涂布工序、另外在各芯片上粘接芯片粘贴膜的工序。

但是，上述切割(Dicing(ダィシング))工序中，由于如上所述使用划片刀将半导体晶片和接合剂层一起切割，所以不仅产生晶片的切削屑，还产生接合剂层的切削屑。接合剂层的切削屑由于其自身具有粘接功能，所以当切削屑填塞在晶片的切割槽中时，芯片之间紧贴在一起，产生拾取不良等，半导体装置的制造合格率降低。

为了解决上述的问题，有人提出了一种方法，在切割工序中，用刀片仅切割半导体晶片，在扩张工序中，通过使切割·芯片粘贴带扩张，与各个芯片对应地将接合剂层截断(例如专利文献1的[0055]～[0056])。通过这样的利用了扩张时的张力的接合剂层的截断方法，不产生接合剂的切削屑，在拾取工序中不会造成不良影响。

并且，近年来，作为半导体晶片的切断方法，提出了使用激光加工装置可以不接触地切断晶片的所谓的隐形切割法。

例如，专利文献2中，作为隐形切割法，公开了一种半导体基板的切断方法，其具备：使光聚焦于通过芯片粘贴树脂层(接合剂层)粘贴有片材的半导体基板的内部，照射激光，由此在半导体基板的内部形成多光子吸收所致的改性区域，于该改性区域形成切断预定部的工序；和使片材扩张(扩大)，由此沿切断预定部将半导体基板和芯片粘贴树脂层切断的工序。

并且，作为使用了激光加工装置的半导体晶片的切断方法的其他方法，例如在专利文献3中提出了一种半导体晶片的分割方法，该方法具备：在半导体晶片的背面安装芯片粘贴用的粘接膜(接合剂层)的工序；在背面安装有该粘接膜的半导体晶片的粘接膜侧贴上可伸长的保护胶带的工序；从贴有保护胶带的半导体晶片的表面沿线路照射激光光线，分割成一个个半导体芯片的工序；使保护胶带扩张(扩张)，对粘接膜赋予拉伸应力，按每个半导体芯片使粘接膜破裂的工序；和将贴有破裂的粘接膜的半导体芯片从保护胶带脱离的工序。

根据专利文献2和专利文献3所述的这些半导体晶片的切断方法，由于通过激光的照射和带的扩张，非接触地切断半导体晶片，所以对半导体晶片的物理负荷小，可以切断半导体晶片而不产生在进行现在主流的刀片切割时那样的晶片的切削屑(chipping，屑)。并且，由于通过扩张截断接合剂层，所以也不会产生接合剂层的切削屑。因此，作为可代替刀片切割的优异的技术受到瞩目。