[发明专利]一种提高烧结方框通孔型磁芯良率的方法无效
| 申请号： | 201110081532.9 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102161096A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 熊勇;王方灵;许东亮 | 申请（专利权）人： | 越峰电子（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | B22F5/10 | 分类号： | B22F5/10;B22F3/10;H01F41/02 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215314 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 烧结 方框 孔型 磁芯良率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高烧结方框通孔型磁芯良率的方法，其特征在于，包括如下步骤:
a、将待烧结的平板型磁芯的生胚整齐的码放在用于装载的锆片上，上述平板型磁芯的生胚的材料组成与待烧结的方框通孔型磁芯的生胚的材料组成相同；
b、将待烧结的方框通孔型磁芯的生胚整齐的码放在上述待烧结的平板型磁芯的生胚之上；
c、通过装载的锆片将上述码放好的方框通孔型磁芯的生胚与平板型磁芯的生胚送入烧结炉中烧结；
d、将烧结后的方框通孔型磁芯和平板型磁芯分别收集。
2.根据权利要求1所述的一种提高烧结方框通孔型磁芯良率的方法，其特征在于，在上述步骤a中,平板型磁芯的生胚是平放在锆片上的。
3.根据权利要求2所述的一种提高烧结方框通孔型磁芯良率的方法，其特征在于，在上述步骤b中，方框通孔型磁芯的生胚放置在上述平板型磁芯的生胚上时，应当使方框通孔型磁芯的生胚通孔的开口端与上述平板型磁芯的生胚接触。
4.根据权利要求3所述的一种提高烧结方框通孔型磁芯良率的方法，其特征在于，在上述步骤b中，方框通孔型磁芯的生胚放置在上述平板型磁芯的生胚上时，应当避开平板型磁芯的生胚的交界处。
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