[发明专利]半导体结构及其制造方法与操作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一阱区；

一第二阱区，邻近该该第一阱区；

一第一掺杂区，位于该第二阱区上；

一第二掺杂区，位于该第一阱区；

一阳极，耦接至该第一掺杂区与该第二阱区；及

一阴极，耦接至该第一阱区与该第二掺杂区，其中，该第一阱区与该第一掺杂区具有一第一导电型，

该第二阱区及该第二掺杂区具有一第二导电型，该第二导电型相反于相反该第一导电型。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，

该第二阱区、该第一阱区与该第二掺杂区形成一第一双极结晶体管(BJT)，该第一BJT具有一第一元件类型，

该第一掺杂区、该第二阱区与该第一阱区形成一第二BJT，该第二BJT具有一第二元件类型，该第二元件类型相反于该第一元件类型。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该第一元件类型是NPN型，该第二元件类型是PNP型。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该第一BJT与该第二BJT是电性并联。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，

该第二阱区是该第一BJT的集极，该第一阱区是该第一BJT的基极，该第二掺杂区是该第一BJT的射极，

该第一掺杂区是该第二BJT的射极，该第二阱区是该第二BJT的基极，该第一阱区是该第二BJT的集极。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电型是P型，该第二导电型是N型。

7.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成互相邻近的一第一阱区与一第二阱区； 

形成一第一掺杂区于该第二阱区上；

形成一第二掺杂区于该第一阱区上；

耦接一阳极至该第一掺杂区与该第二阱区；及

耦接一阴极至该第一阱区与该第二掺杂区，其中，

该第一阱区与该第一掺杂区具有一第一导电型，

该第二阱区与该第二掺杂区具有一第二导电型，该第二导电型相反该第一导电型。

8.一种半导体结构的操作方法，包括：

提供一半导体结构，包括：

一第一阱区；

一第二阱区，邻近该第一阱区；

一第一掺杂区，位于该第二阱区上；及

一第二掺杂区，位于该第一阱区上，其中，该第一阱区与该第一掺杂区具有一第一导电型，该第二阱区与该第二掺杂区具有一第二导电型，第二导电型相反该第一导电型；

开启一第一BJT，该第一BJT具有一第一元件类型，并是由该第二阱区、该第一阱区与该第二掺杂区所形成；及

开启一第二BJT，该第二BJT具有一第二元件类型，该第二元件类型相反于该第一元件类型，且该第二BJT是由该第一掺杂区、该第二阱区与该第一阱区所形成，其中该第一BJT与该第二BJT是电性并联。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的操作方法，更包括：

耦接一阳极至该第一掺杂区与该第二阱区；及

耦接一阴极至该第一阱区与该第二掺杂区。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的操作方法，其中该第二BJT是在该第一BJT开启之后开启。