[发明专利]半导体封装及其引线框在审
申请号: | 201110082117.5 | 申请日: | 2011-04-01 |
公开(公告)号: | CN102738024A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 刘鹏;贺青春;吴萍 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/495 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 引线 | ||
1.一种封装半导体管芯的方法,包括如下步骤:
提供引线框结构,所述引线框结构包括具有管芯底盘的第一引线框和具有多个引线指的第二引线框,其中所述管芯底盘的侧表面被部分地蚀刻以在所述管芯底盘上形成扩展的管芯连附表面,以及部分地蚀刻每一个引线指的一部分顶表面以形成相应的互补引线指表面;
布置所述第一和第二引线框,以使得所述互补的引线指容纳所述扩展的管芯连附表面;
将半导体管芯连附到所述扩展的管芯连附表面;
将所述半导体管芯的接合衬垫电气地连接到所述引线框的所述引线指;以及
将封装材料分配到所述第一和第二引线框的顶表面上,由此使得所述封装材料覆盖所述半导体管芯、所述引线指和二者之间的电连接。
2.如权利要求1所述的封装半导体管芯的方法,其中所述管芯底盘的厚度大于每一个引线指的厚度,以及其中所述管芯底盘的未蚀刻部分的厚度为所述管芯底盘的被蚀刻部分的厚度的大约两倍,以及每一个引线指的未蚀刻部分的厚度为所述引线指的被蚀刻部分的厚度的大约两倍。
3.如权利要求1所述的封装半导体管芯的方法,其中所述电气连接步骤包括利用线接合方法使用线将所述半导体管芯的接合衬垫连接到所述引线指,以及所述线被连附到所述引线指的未蚀刻部分。
4.如权利要求1所述的封装半导体管芯的方法,进一步包括在所述管芯连附步骤之前将所述第一和第二引线框的底表面连附到带材料,以及在所述封装步骤之后去除所述带材料。
5.一种根据权利要求1所述的方法封装的半导体器件。
6.一种封装的半导体器件,包括:
管芯底盘;
围绕所述管芯底盘的多个引线指,其中部分地蚀刻所述管芯底盘的侧表面和每一个引线指的部分顶表面,以形成允许所述管芯底盘上的扩展的管芯连附表面的互补表面;
半导体管芯,连附到所述管芯底盘的扩展的管芯连附表面以及电气地耦合到所述引线指;以及
封装材料,其覆盖所述管芯、引线指并且填充所述被蚀刻的管芯底盘和所述引线指之间的空隙。
7.如权利要求6所述的封装的半导体器件,其中所述管芯底盘的厚度大于所述引线指的厚度,所述管芯底盘的侧表面和每一个引线指的部分顶表面被蚀刻一半,以形成扩展的管芯连附表面和互补的引线指。
8.如权利要求6所述的封装的半导体器件,其中利用接合线将所述半导体管芯的接合衬垫电气地耦合到所述引线指中的相应引线指。
9.一种用于封装半导体集成电路的引线框结构,所述引线框结构包括:
第一引线框,包括管芯底盘,其中所述管芯底盘的侧表面被部分地蚀刻以形成扩展的管芯连附表面;以及
第二引线框,包括多个引线指,其中每一个引线指的一部分顶表面在一端处被部分地蚀刻,
其中在所述第一和第二引线框配合时,所述第二引线框的引线指围绕所述第一引线框的所述管芯底盘,并且所述管芯底盘的被蚀刻侧面与所述引线指的被蚀刻顶表面处于互补布置,用于容纳所述管芯底盘的扩展的管芯连附表面。
10.如权利要求9所述的引线框结构,其中所述第一引线框包括多个管芯底盘,以及所述第二引线框包括相应的多组引线指。
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