[发明专利]半导体器件和半导体器件组件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

切换元件，形成于所述半导体衬底的主表面之上；

层间绝缘膜，形成为覆盖所述切换元件；

平板状引出布线，形成于所述层间绝缘膜之上；

耦合布线，将所述引出布线与所述切换元件相互耦合；

磁阻元件，包括磁化定向可变的磁化自由层，并且形成于所述引出布线之上；以及

布线，定位于所述磁阻元件上方、向沿着所述主表面的方向延伸，并且能够改变所述磁化自由层的磁化状态，

其中在多个所述磁阻元件布置于其中的存储器单元区域中，布置于所述磁阻元件上方的第一高导磁率膜从所述存储器单元区域延伸到作为除了所述存储器单元区域之外的区域的外围区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在平面中观察所述第一高导磁率膜在所述外围区域上方的部分被去除。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中布置于所述存储器单元区域上方的所述第一高导磁率膜与布置于所述外围区域上方的所述第一高导磁率膜分离。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中关于所述第一高导磁率膜，其中布置所述第一高导磁率膜的区域和其中未布置所述第一高导磁率膜的区域交替地布置于所述主表面延伸的第一方向上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中关于所述第一高导磁率膜，其中布置所述第一高导磁率膜的区域和其中未布置所述第一高导磁率膜的区域交替地布置于与所述第一方向正交的第二方向上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中与所述第一高导磁率膜有一段距离地在所述第一高导磁率膜上方，附加地提供第二高导磁率膜。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中关于所述第二高导磁率膜，其中布置所述第二高导磁率膜的区域和其中未布置所述第二高导磁率膜的区域重复地布置于所述主表面延伸的第一方向上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中关于所述第二高导磁率膜，其中布置所述第二高导磁率膜的区域和其中未布置所述第二高导磁率膜的区域交替地布置于与所述第一方向正交的第二方向上。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中与所述第二高导磁率膜有一段距离地在所述第二高导磁率膜上方，提供与所述第一高导磁率膜和所述第二高导磁率膜不同的一个或者更多高导磁率膜。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中在平面中观察通过去除所述第一高导磁率膜、所述第二高导磁率膜或者所述高导磁率膜的部分所获得的标记区域布置于所述第一高导磁率膜、所述第二高导磁率膜或者所述高导磁率膜中。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中标记区域布置于所述第一高导磁率膜、所述第二高导磁率膜或者所述高导磁率膜中，并且

其中形成于所述标记区域中的图案关于沿着所述主表面的方向具有弯曲形状。

12.一种半导体器件组件，包括：

平板状高导磁率材料，布置于根据权利要求1所述的半导体器件上方和下方，使得与所述半导体器件的主表面相对。

13.根据权利要求12所述的半导体器件组件，其中所述高导磁率材料之中的在沿着所述主表面的方向上布置于所述半导体器件上方的第一高导磁率材料的面积小于沿着所述主表面的方向布置于所述半导体器件下方的第二高导磁率膜的面积。

14.根据权利要求13所述的半导体器件组件，其中所述第一高导磁率材料具有足以在沿着所述主表面的方向从上方覆盖整个所述存储器单元区域的面积。

15.根据权利要求14所述的半导体器件组件，其中多个所述存储器单元区域在沿着所述主表面的方向上按照间隔并置。

16.根据权利要求13所述的半导体器件组件，其中所述第一高导磁率材料和所述第二高导磁率材料通过布置于所述半导体器件的外区域中的第三高导磁率材料相互耦合。