[发明专利]用于制造半导体衬底的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：

a)提供施主衬底(205；305)和操作衬底(101；201；301；401)；

b)在所述操作衬底(101；201；301；401)中形成一个或更多个掺杂区域(104a 至104d；304a至304d；404a至404d)的图案；以及

c)将所述施主衬底(205；305)与所述操作衬底(101；201；301；401)接合 起来以获得施主-操作混合物(308)，

该方法还包括在步骤a)和步骤b)之间执行的步骤d)，该步骤d)在所述操作 衬底(101；201；301；401)的内部且所述操作衬底(101；201；301；401)的表面 下方形成一个或更多个对准标记(103a至103b；303a至303b；403a至403b)，

其中，所述一个或更多个对准标记(103a至103b；303a至303b；403a至403b) 在不改变所述操作衬底(101；201；301；401)的所述表面的情况下通过离子注入或 聚焦激光熔化或聚焦离子束熔化形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体衬底是绝缘体上半导体衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个掺杂区域(104a至104d； 304a至304d；404a至404d)的图案形成在所述操作衬底(101；201；301；401)内 部。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤c)中，将所述施主衬底(205； 305)与所述操作衬底(101；201；301；401)接合起来是通过键合实现的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个对准标记(103a至103b； 303a至303b；403a至403b)包括非掺杂剂物质。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述非掺杂剂物质包括氢、氦、氩、氟、 氖和/或氙。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤d)包括加温退火步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤b)包括用于注入掺杂剂的至少一 个离子注入步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在步骤b)中，所述掺杂剂是磷和/或砷 和/或硼。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述至少一个离子注入步骤跟随有退火 步骤。

11.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括在步骤a)和步骤b)之间执行 的步骤e)，该步骤e)在所述操作衬底(101；201；301；401)上形成屏蔽层(102)。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在步骤e)中，所述屏蔽层是屏蔽氧 化物。

13.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括在步骤a)和步骤c)之间执行 的步骤f)以及在步骤c)之后执行的步骤g)，所述步骤f)在所述施主衬底(205； 305)内部，在深度h处形成预定分裂区域(207；307)，所述步骤g)从所述施主- 操作混合物分离所述施主衬底(205；305)的剩余部分，其中，分离发生在所述预定 分裂区域(207；307)处。

14.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括在步骤a)和步骤c)之间执行 的步骤h)，该步骤h)在所述施主衬底(205；305)上形成电介质层(206；306)， 或者该步骤h)在所述施主衬底(205；305)上形成包括至少一个电介质层的叠层的 组合，其中，所述电介质层(206；306)的厚度小于200nm。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在步骤h)中，所述电介质层是氧化 物层。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述电介质层(206；306)的厚度小 于100nm。