[发明专利]在制造平面双极型晶体管中的间隔物形成

权利要求书

1.一种形成双极型晶体管的方法，包括以下步骤：

在衬底(1)中形成集电极区(2)；

在所述衬底上形成包括基极堆叠区(57)的基极(57、58)和发射极区(59)；

通过在所述基极堆叠区和所述发射极区之间形成电绝缘间隔物(71)，将所述基极堆叠区(57)和所述发射极区(58)彼此横向隔开；

所述绝缘间隔物(71)顶端处的宽度尺寸至少与其底端处的宽度尺寸一样大。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述晶体管的基极的步骤包括：

在所述衬底(1)上形成第一基极层(4，54)；

在所述第一基极层(54)上形成平面化层(55)；

限定穿过所述平面化层(55)和所述第一基极层(54)的基极窗口(60)，以暴露出所述集电极区(2)，包括刻蚀所述平面化层(55)至比第一基极层(54)更大的横向延伸，所述平面化层(55)形成在所述第一基极层(54)上；

在所述基极窗口(60)的侧壁上的已暴露集电极区和基极叠层(57)上沉积基极外延层(58)；

所述方法还包括以下步骤：

通过在所述基极窗口(60)中形成电绝缘层(41、42、43)、以及刻蚀所述绝缘层以便留下覆盖形成所述基极窗口侧壁的那部分基极叠层的剩余部分来形成所述间隔物(71)，

其中所述平面化层刻蚀的更大的横向延伸导致所述间隔物(71)的加宽或者所述间隔物至少部分地在所述间隔物上部朝外倾斜。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括通过在所述第一基极层(54)和所述间隔物(71)上沉积半导体材料(59)来在所述基极窗口(60)中形成发射极区的步骤。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括通过向下去除所有层至部分地穿过所述平面化层(55)的深度来对所述结构进行平面化的步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，其中对所述结构进行平面化的步骤包括向下去除所有层至与所述间隔物(71)的最宽部分相对应的深度。

6.根据权利要求4或5所述的方法，还包括将硅化物层(72)形成于所述间隔物(71)任一侧上的所述基极叠层(57)和发射极区(59)上，所述硅化物层在所述间隔物的顶部表面上是不连续的。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的方法，其中形成所述晶体管的基极(57、58)的步骤还包括：在所述平面化层(55)上形成帽层(56)、并且限定穿过所述帽层以及所述平面化层和所述基极硅层(54)的基极窗口(60)，其中将所述平面化层的刻蚀执行到比所述帽层的刻蚀更大的横向延伸，以便在其上形成基极叠层(57)之前，底切所述帽层并且形成所述基极窗口侧壁的凹入部分(61)。

8.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述间隔物(71)的步骤包括将所述电绝缘层形成为三层结构，所述三层结构包括第一氧化硅层(41)、氮化硅层(42)和第二氧化硅层(43)，并且其中刻蚀所述层以留下所述剩余部分包括刻蚀所述第二硅层至所述氮化物层上的终点，然后去除所暴露的氮化物层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隔物形成为具有以下形状之一：Γ形、或者倒L形结构、或者倾斜形状。

10.一种双极型晶体管结构，包括在衬底(1)中形成的集电极(52)以及在所述衬底上形成的基极(57、58)和发射极(59)，所述基极具有基极堆叠区(57)，所述基极堆叠区通过电绝缘间隔物(71)与所述衬底(1)上的发射极(59)横向地隔开，其中所述绝缘间隔物(71)在其顶端的宽度尺寸至少与其底端的宽度尺寸一样大。

11.根据权利要求10所述的晶体管结构，其中所述间隔物(71)在其顶端的宽度尺寸大于其底端处的宽度尺寸。

12.根据权利要求10或11所述的晶体管结构，其中所述间隔物(71)形成为Γ形或倒L形结构。

13.根据权利要求10或11所述的晶体管结构，其中所述间隔物形成为倾斜间隔物，其中所述间隔物具有大致均匀的宽度，或者朝着所述间隔物的顶部略微增加的宽度，并且其中具有与底部表面宽度实质上相同或者更大宽度的顶部表面从所述底部表面向外横向地偏移。