[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110083148.2 申请日: 2011-04-02
公开(公告)号: CN102738351A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 林厚德;蔡明达 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体封装结构,特别涉及一种发光二极管封装结构,还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)封装结构的制作通常是先在一个树脂或塑料的基板上形成第一电极和第二电极,然后将发光二极管芯片固定于基板上并与第一电极和第二电极电性连接,最后形成封装层覆盖发光二极管芯片并切割形成多个组件。

然而,此种封装方法要先提供一个基板,再在基板上面形成电极,再进行固晶、封装,工序繁多。且由于需在基板上形成封装层,也不利于散热,从而导致不良品的出现,降低产品的合格率。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种制造简单、散热良好的发光二极管封装结构及其制造方法。

一种发光二极管封装结构,包括电极、发光二极管芯片以及绝缘层,所述电极包括第一电极和第二电极,该第一电极和第二电极相互间隔设置,所述发光二极管芯片与电极电性连接,所述绝缘层覆盖该电极和发光二极管芯片,所述第一电极上设有凹槽,所述发光二极管芯片容置于该凹槽中,所述第一电极和第二电极相互间隔处形成通道,该通道与该凹槽连通,所述绝缘层经由该通道填充于凹槽中。

一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:

提供电极,该电极包括第一电极、第二电极,该第一电极和第二电极相互间隔设置并在间隔处形成一个通道,该第一电极上设有一个凹槽,该凹槽与通道连通;

在所述凹槽中设置发光二极管芯片,并使发光二极管芯片与所述第一电极和第二电极电连接;

提供一个遮挡罩,覆盖于第一电极和第二电极之上;

采用注塑成型方式,将流体状透明绝缘材料自通道注入该凹槽中,并完全填充于第一电极和第二电极与遮挡罩之间;

固化流体状透明材料完成封装。

直接采用相互间隔设置的第一电极和第二电极,并将发光二极管芯片固定于第一电极开设的凹槽内。由于该凹槽和第一、第二电极间隔的通道相导通,可通过从通道向上注塑成型等多种方式对发光二极管封装结构进行封装。此制造方法工序少、简单易行,且直接将发光二极管芯片固定在电极上,有利于散热。

附图说明

图1为本发明第一实施方式的发光二极管封装结构的剖视示意图。

图2为图1中的发光二极管封装结构的俯视示意图。

图3为本发明第二实施方式的发光二极管封装结构的剖视示意图。

图4为本发明第三实施方式的发光二极管封装结构的剖视示意图。

图5为图4中的光发光二极管封装结构的俯视示意图。

图6为本发明实施方式提供的发光二极管封装结构的制造方法的流程图。

图7为本发明第三实施方式的发光二极管封装结构的制造过程最后一步所得到的发光二极管封装结构的剖视示意图。

主要元件符号说明

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