[发明专利]具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

低介电性膜布线线路层压结构部分，该低介电性膜布线线路层压结构部分设置于所述半导体衬底的上表面上除其外围部分之外的区域中，并且该低介电性膜布线线路层压结构部分包括多个低介电性膜和多个布线线路的层压结构，所述多个布线线路包括具有多个连接焊盘部分的多个最上层布线线路；

设置于所述低介电性膜布线线路层压结构部分的上表面上的绝缘层；

多个用于电极的连接焊盘部分，设置于所述绝缘层的上表面上，以电连接到所述低介电性膜布线线路层压结构部分的所述最上层布线线路的所述连接焊盘部分；

设置于用于电极的所述连接焊盘部分的上表面上的、用于外部连接的多个凸块电极；以及

设置于所述绝缘层的上表面以及所述凸块电极的侧表面上的密封膜，

其中所述低介电性膜布线线路层压结构部分的侧表面以及所述半导体衬底的所述外围部分的上表面被所述密封膜覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述密封膜设置在所述低介电性膜布线线路层压结构部分的侧表面以及所述半导体衬底的所述外围部分的上表面上。

3.根据权利要求1和2之一所述的半导体器件，其中所述绝缘层的侧表面和所述低介电性膜布线线路层压结构部分的侧表面基本形成一个平面。

4.根据权利要求1和2之一所述的半导体器件，其中所述绝缘层小于其上形成所述绝缘层的所述低介电性膜布线线路层压结构部分。

5.根据权利要求1和2之一所述的半导体器件，其中所述绝缘层设置在所述低介电性膜布线线路层压结构部分的侧表面以及所述半导体衬底的所述外围部分的上表面上。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述密封膜设置在所述绝缘层的侧表面以及所述半导体衬底的所述外围部分的上表面上。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘层包括：

钝化膜，设置在所述低介电性膜布线线路层压结构部分的上表面上，以及

保护膜，设置在所述钝化膜的上表面上。

8.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

低介电性膜布线线路层压结构部分，该低介电性膜布线线路层压结构部分设置于所述半导体衬底的上表面上除其外围部分之外的区域中，并且该低介电性膜布线线路层压结构部分包括多个低介电性膜和多个布线线路的层压结构，所述多个布线线路包括具有多个连接焊盘部分的多个最上层布线线路；

设置于所述低介电性膜布线线路层压结构部分的上表面上的绝缘层；

多个用于电极的连接焊盘部分，设置于所述绝缘层的上表面上，以电连接到所述低介电性膜布线线路层压结构部分的所述最上层布线线路的所述连接焊盘部分；

设置于用于电极的所述连接焊盘部分的上表面上的、用于外部连接的多个凸块电极；以及

设置于所述绝缘层的上表面以及所述凸块电极的侧表面上的密封膜，

其中所述低介电性膜布线线路层压结构部分的侧表面以及所述半导体衬底的所述外围部分的上表面被所述绝缘层覆盖。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述绝缘层设置在所述低介电性膜布线线路层压结构部分的侧表面以及所述半导体衬底的所述外围部分的上表面上。

10.根据权利要求8和9之一所述的半导体器件，其中保护膜延伸到与所述半导体衬底的侧表面相同的平面。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述密封膜设置在所述绝缘层的侧表面以及所述半导体衬底的所述外围部分的上表面上。

12.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述绝缘层包括：

钝化膜，设置在所述低介电性膜布线线路层压结构部分的上表面上，以及

保护膜，设置在所述钝化膜的上表面以及所述低介电性膜布线线路层压结构部分的侧表面上。

13.根据权利要求7和12之一所述的半导体器件，其中所述钝化膜由无机材料制成。

14.根据权利要求7和12之一所述的半导体器件，其中所述钝化膜包括二氧化硅膜或低介电性膜。

15.根据权利要求7和12之一所述的半导体器件，其中所述保护膜由有机材料制成。