[发明专利]光刻装置和器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201110083335.0 申请日: 2004-06-09
公开(公告)号: CN102147574A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: J·洛夫;H·布特勒;S·N·L·当德斯;A·科勒斯辰科;E·R·鲁普斯特拉;H·J·M·梅杰;J·C·H·穆肯斯;R·A·S·里特塞马;F·范沙克;T·F·森格斯;K·西蒙;J·T·德斯米特;A·斯特拉艾杰;B·斯特里科克;E·T·M·比拉尔特;C·A·胡根达姆;H·范桑坦;M·A·范德科霍夫;M·克鲁恩;A·J·登博夫;J·J·奥坦斯;J·J·S·M·梅坦斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 光刻 装置 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻装置,该装置包括:

传感器,定位成用于通过来自投影系统或对准系统的辐射光束照射;

液体供给系统,用于填充在所述投影系统或所述对准系统与所述传感器之间的空间;

安装在台上的板,其中所述板定位在所述传感器与所述投影系统或所述对准系统之间,或其中所述传感器的至少一部分位于所述板上。

2.根据权利要求1所述的光刻装置,其中所述板是中间板。

3.根据权利要求1或2所述的光刻装置,其中所述板是透射板。

4.根据权利要求1、2或3所述的光刻装置,其中所述传感器被配置以感测所述光束,且包括透射像传感器或集成的镜头干涉计。

5.根据权利要求1所述的光刻装置,其中所述传感器被配置以感测所述光束,且包括波阵面传感器、点或辐射量传感器、聚焦传感器或对准标记。

6.根据权利要求1或2所述的光刻装置,其中所述传感器包括对准传感器,所述对准传感器配置成相对于所述投影系统或所述对准系统或高度传感器对准所述台。

7.根据权利要求1、2或3所述的光刻装置,其中所述传感器包括辐射接收元件,所述辐射接收元件包括具有针孔、光栅或衍射元件的层。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光刻装置,其中所述板与所述传感器间隔开,所述台包括配置成支撑所述板的支撑表面。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的光刻装置,其中所述台还包括边缘密封元件,该元件用于至少部分环绕传感器的边缘,和用于提供面向所述投影系统或所述对准系统的主要表面,该表面基本与所述传感器的主要表面共平面,并且其中所述液体供给系统提供液体到所述传感器的局部区域。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的光刻装置,其中所述台包括真空口,所述真空口配置用于从所述台和传感器之间的空间去除液体。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的光刻装置,还包括在所述台和传感器之间的空间中的、配置用于防止液体进入的材料。

12.一种光刻装置,该装置包括:

传感器,定位成用于通过来自投影系统或对准系统的辐射光束进行照射,所述传感器位于台中或台上;

液体供给系统,用于填充所述投影系统或所述对准系统与所述传感器之间的空间;和

边缘密封元件,该元件用于至少部分环绕传感器的边缘,和用于提供面向所述投影系统或所述对准系统的主要表面,该表面基本与所述传感器的主要表面共平面,并且其中所述液体供给系统提供液体到所述传感器的局部区域。

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