[发明专利]光刻装置和器件制造方法有效
申请号: | 201110083335.0 | 申请日: | 2004-06-09 |
公开(公告)号: | CN102147574A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | J·洛夫;H·布特勒;S·N·L·当德斯;A·科勒斯辰科;E·R·鲁普斯特拉;H·J·M·梅杰;J·C·H·穆肯斯;R·A·S·里特塞马;F·范沙克;T·F·森格斯;K·西蒙;J·T·德斯米特;A·斯特拉艾杰;B·斯特里科克;E·T·M·比拉尔特;C·A·胡根达姆;H·范桑坦;M·A·范德科霍夫;M·克鲁恩;A·J·登博夫;J·J·奥坦斯;J·J·S·M·梅坦斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 装置 器件 制造 方法 | ||
本申请是2004年6月9日递交的、发明名称为“光刻装置和器件制造方法”的中国专利申请200410047698.9的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种光刻投影装置,该装置包括:
-提供辐射投影光束的辐射系统;
-支撑构图装置的支撑结构,该构图装置用于根据所需的图案对投影光束进行构图;
-保持基底的基底台;
-在基底的目标部分投影带图案的光束的投影系统;
-至少部分的用液体填充所述投影系统的最后元件和定位在所述基底台上的目标之间的空间的液体供给系统。
背景技术
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置,其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致;本文中也使用术语“光阀”。一般地,所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特殊功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括:
■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型,以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下,支撑结构一般是一个掩模台,它能够保证掩模被保持在入射光束中的所需位置,并且如果需要该台会相对光束移动。
■可编程反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的已寻址区域将入射光反射为衍射光,而未寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器,从反射的光束中滤除所述非衍射光,只保留衍射光;按照这种方式,光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编程反射镜降列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列,通过使用适当的局部电场,或者通过使用压电致动器装置,使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者,反射镜是矩阵可寻址的,由此已寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到 未寻址反射镜上;按照这种方式,根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中,构图装置可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO98/38597和WO 98/33096中获得,这些文献在这里引入作为参照。在可编程反射镜阵列的情况中,所述支撑结构可以是框架或者工作台,例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
■可编程LCD阵列,例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构,它在这里引入作为参照。如上所述,在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台,例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见,本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例;可是,在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下,构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案,该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯(die))。一般的,单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格,该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中,有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是,通过将全部掩模图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分;这种装置通常称作晶片步进器。另一种装置(通常称作步进-扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分;因为一般来说,投影系统有一个放大系数M(通常<1),因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得,该文献这里作为参考引入。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110083335.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。