[发明专利]一种显示器件的制备方法有效
申请号: | 201110084084.8 | 申请日: | 2011-04-02 |
公开(公告)号: | CN102637577A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 周伟峰;薛建设 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;王黎延 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 器件 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及器件制备技术,尤其涉及基于玻璃材料物理性质的显示器件的制备方法。
背景技术
平板显示技术在近十年有了飞速的发展,从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。经过不断的努力,LCD各方面的性能已经达到了传统阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示器的水平,并且大有取代CRT的趋势。
随着平板显示产品生产的不断扩大,各个生产厂商之间的竞争也日趋激烈。各厂家在不断提高产品性能的同时,也在不断努力降低产品的生产成本,从而提高市场的竞争力。
柔性显示器件凭借其能够弯曲的特性,可以胜任很多需要曲面显示的领域,如智能卡、电子纸、智能标签和传统显示器件所能使用的所有领域。目前,大多数的柔性显示器件的制备是基于有机材料基板上制备的显示器件,如在聚酰亚胺薄膜、聚苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜等有机薄膜及其复合薄膜上,制备的胆甾相液晶显示器、电泳式显示器、有机电致发光显示器等。
而玻璃具有比上述有机材料薄膜优秀很多的透过率、化学稳定性、阻水、介电特性,并且很薄的玻璃基板也具有很好的柔韧性,因此,在超薄的玻璃基板上进行柔性显示器件的制备得到越来越多的重视;然而由于玻璃基板本身的脆性,致使其在大面积应用时比较困难,造成显示器件的制备成本较高,成品率较低的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种显示器件的制备方法,能提高显示器件制备的成品率。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种显示器件的制备方法,所述方法包括:
将超薄玻璃基板贴附于玻璃基板上;
在所述超薄玻璃基板上进行显示器件的制备;
制备完成后,取下所述超薄玻璃基板进行封装。
其中,所述将超薄玻璃基板贴附于玻璃基板上为:
通过双面粘结材料、或单面粘结材料、或利用静电将超薄玻璃基板贴附于玻璃基板上。
优选地,所述通过双面粘结材料将超薄玻璃基板贴附于玻璃基板上为:
在双面粘结材料对两个玻璃基板进行粘附的过程中,留有导气孔;
在真空腔体内,通过所述导气孔将两个玻璃基板之间的空气排走;
利用所述双面粘结材料将所述导气孔封死。
优选地,所述取下所述超薄玻璃基板进行封装为:
对双面粘结材料进行软化去除后,从玻璃基板上取下超薄玻璃基板进行封装。
其中,所述通过单面粘结材料将超薄玻璃基板贴附于玻璃基板上为:
利用单面粘结材料对两个玻璃基板粘附;
在真空腔体内,将两个玻璃基板之间的空气排走;
利用单面粘结材料将超薄玻璃基板四周封死。
优选地,所述取下所述超薄玻璃基板进行封装为:
撕下单面粘结材料,从玻璃基板上取下超薄玻璃基板进行封装。
其中,所述利用静电将超薄玻璃基板贴附于玻璃基板上为:
将超薄玻璃基板直接通过静电贴附于玻璃基板上;
在真空腔体内,将两个玻璃基板之间的空气排走;
利用单面粘结材料将超薄玻璃基板四周封死。
其中,所述取下所述超薄玻璃基板进行封装为:
将用于封死超薄玻璃基板四周的单面粘结材料撕掉;
利用吸盘、或胶带将所述超薄玻璃基板的一角掀起,将薄且硬的材料塞入两个玻璃基板之间的缝隙,取下所述超薄玻璃基板进行封装。
优选地,所述将超薄玻璃基板贴附于玻璃基板上为在真空环境中进行。
本发明提供的显示器件制备方法,通过将超薄玻璃基板贴附于玻璃基板上,直接制备以超薄玻璃基板为载体的显示器件,能避免对现有生产设备的技术改造,大大提高了显示器件制备的成品率,且较易实现,节约了显示器件的制备成本。
附图说明
图1为本发明提供的显示器件的制备方法的实现流程示意图;
图2为本发明提供的显示器件的制备方法实施例一的实现流程示意图;
图3为图2提供的实施例一中两个玻璃基板贴附后的截面示意图;
图4为本发明提供的显示器件的制备方法实施例二的实现流程示意图;
图5为图4提供的实施例二中两个玻璃基板贴附后的截面示意图;
图6为本发明提供的显示器件的制备方法实施例三的实现流程示意图;
图7为图6提供的实施例三中两个玻璃基板贴附后的截面示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造