[发明专利]一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法

权利要求书

1.一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法，其特征在于：

①将氢氧化钠20~40%、氟化钠4~6%、次氯酸钠0.3~0.7%和水50~70%常温充分溶解制成腐蚀液，其中比例为质量百分比；

②将腐蚀液倒入腐蚀槽内，加热至50~70℃，放入硅芯，保持温度下腐蚀3~5分钟；

③取出硅芯，放入超纯水清洗槽内清洗5~7遍；

④取出清洗槽内的硅芯放入超纯水加热槽内，升高温度至水沸腾，保持沸腾状态煮3~5分钟；

⑤从加热槽内取出硅芯，放入烘箱内，保持温度80~90℃，烘干1~2小时后降温至室温取出即可。

2.根据权利要求1所述的多晶硅硅芯腐蚀的新方法，其特征在于：步骤①中，腐蚀液的配比为氢氧化钠30%、氟化钠5%和次氯酸钠0.5%、水64.5%。

3.根据权利要求1所述的多晶硅硅芯腐蚀的新方法，其特征在于：步骤②中，将腐蚀液倒入腐蚀槽内，加热至55℃，放入硅芯（以硅芯淹没于腐蚀液中为准），腐蚀3~5分钟。

4.根据权利要求1所述的多晶硅硅芯腐蚀的新方法，其特征在于：步骤③中，硅芯在清洗槽内清洗7遍。

5.根据权利要求1所述的多晶硅硅芯腐蚀的新方法，其特征在于：步骤④中，将硅芯在超纯水中煮沸5分钟。

6.根据权利要求1所述的多晶硅硅芯腐蚀的新方法，其特征在于：步骤⑤中，将硅芯在烘箱内保持温度为80℃，烘干时间为2小时，降温至室温取出。