[发明专利]发光二极管透明导电层的图案化方法无效
| 申请号： | 201110084842.6 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102646762A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 杨侍蒲;朱瑞溢;郭奇文;黄坤富;陈俊荣;方国龙 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 透明 导电 图案 方法 | ||
1.一种发光二极管透明导电层的图案化方法，包括以下步骤：
提供一基板；
形成一N型半导体层于该基板之上；
形成一主动层于该N型半导体层之上；
形成一P型半导体层于该主动层之上；
形成一透明导电层于该P型半导体层之上；
设置一光罩于该透明导电层之上；以及
激光剥除部分该透明导电层，形成一图案化或表面粗化的透明导电层。
2.如权利要求1所述的发光二极管透明导电层的图案化方法，其中该激光剥除的激光波长范围小于300nm。
3.如权利要求1所述的发光二极管透明导电层的图案化方法，其中该激光剥除的激光能量为0.07J/cm2-1.0J/cm2。
4.如权利要求1所述的发光二极管透明导电层的图案化方法，其中该透明导电层包括氧化铟锡、氧化锌、氧化镉锡、氮化钛钨、氧化铟、氧化锡、氧化镁、氧化锌镓、氧化锡/锑、氧化镓/锡、氧化银铟/锡、氧化铟/锡、氧化铜铝、镧铜氧硫化合物、氧化镍、氧化铜镓或氧化锶铜。
5.如权利要求1所述的发光二极管透明导电层的图案化方法，其中形成该透明导电层之前，还包括形成一电流阻挡层于该P型半导体层之上。
6.如权利要求1所述的发光二极管透明导电层的图案化方法，于形成该透明导电层于该P型半导体层之上，还包括蚀刻移除部分的P型半导体层与主动层，以暴露出部分的N型半导体层。
7.如权利要求1所述的发光二极管透明导电层的图案化方法，其中该光罩不直接接触该透明导电层。
8.如权利要求1所述的发光二极管透明导电层的图案化方法，其中该光罩包括不透明或半透明的图案。
9.如权利要求1所述的发光二极管透明导电层的图案化方法，还包括以下步骤：
设置一第二光罩于该图案化或表面粗化的透明导电层之上；
激光剥除部分该图案化或表面粗化的透明导电层；
形成一图案化且表面粗化的透明导电层。
10.如权利要求9所述的发光二极管透明导电层的图案化方法，其中该第二光罩包括不透明或半透明的图案。
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