[发明专利]发光二极管透明导电层的图案化方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，且特别涉及一种具有发光二极管透明导电层的图案化方法。

背景技术

发光二极管(light emitting diode，LED)由于体积小、使用寿命长、耗电量低与亮度高等优点，以取代传统的灯泡，成为目前最重要的发光装置。

传统的发光二极管主要包括N型半导体层、主动层与P型半导体层(依序形成于基板上)，之后直接于P型半导体层之上形成电极，然而，由于电流会局限于电极附近，造成电流聚集效应(current crowing)，为了解决此问题，因此于制作电极之前，将透明导电层(transparent conductive layer)形成于P型半导体层之上。

之后，又有研究发现若将透明导电层加以图案化或粗化(roughed)，可提升发光二极管的发光效率。目前透明导电层的图案化方法是利用传统的微影制程，微影制程包括光阻涂布(photoresist coating)、软烘烤(softbaking)、光罩对准(mask aligning)、曝光(exposure)、曝光后烘烤(post-exposure)、光阻显影(developing photoresist)与硬烘烤(hard baking)等步骤。

然而，上述的微影制程步骤繁琐，耗时且制程成本高，且光罩必须要直接接触(hard contact)光阻，此步骤会造成光罩的磨损，进而降低光罩的使用寿命。

因此，业界亟需提出一种发光二极管透明导电层的图案化方法，此方法能节省制程时间与成本。

发明内容

本发明的目的是提出一种发光二极管透明导电层的图案化方法，此方法能节省制程时间与成本。

本发明提供一种发光二极管透明导电层(transparent conductive layer，TCL)的图案化方法，包括以下步骤：提供一基板；形成一N型半导体层于该基板之上；形成一主动层于该N型半导体层之上；形成一P型半导体层于该主动层之上；形成一透明导电层于该P型半导体层之上；设置一光罩(mask)于该透明导电层之上；以及激光剥除(laser ablating)部分该透明导电层，形成一图案化或表面粗化(surface roughed)的透明导电层。

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A-1C为一系列剖面图，用以说明本发明一实施例发光二极管透明导电层(transparent conductive layer，TCL)的图案化方法。

图2A-2C为一系列剖面图，用以说明本发明一较佳实施例发光二极管透明导电层(transparent conductive layer，TCL)的图案化方法。

图3A-3B为一系列剖面图，用以说明本发明第三实施例发光二极管透明导电层(transparent conductive layer，TCL)的图案化方法。

图4A-4B为一系列剖面图，用以说明本发明第四实施例发光二极管透明导电层(transparent conductive layer，TCL)的图案化方法。

附图标记：

100～基板；  102～N型半导体层；104～主动层；

108a～图案化的透明导电层；     106～P型半导体层；

108b～图案化的透明导电层；  108～透明导电层；

108c～表面粗化的透明导电层；140～光罩；

108d～表面粗化的透明导电层；150～激光。

具体实施方式

以下特举出本发明的实施例，并配合所附附图作详细说明，而在附图或说明中所使用的相同符号表示相同或类似的部分，且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各组件的部分将以分别描述说明，值得注意的是，附图中未示或描述的组件，为所属技术领域中普通技术人员所知的形状，另外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。