[发明专利]可调射频电路以及制造该电路的方法无效

专利信息
申请号: 201110085458.8 申请日: 2011-04-06
公开(公告)号: CN102739264A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 王叶 申请(专利权)人: 王叶
主分类号: H04B1/04 分类号: H04B1/04;H05K3/00;H01H11/00
代理公司: 北京市惠诚律师事务所 11353 代理人: 雷志刚;潘士霖
地址: 100028 北京市朝*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 可调 射频 电路 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种可调射频电路,其特征在于,包括:

多个串联连接在两节点之间的电感,各电感具有不同的电感值;及

多个对应与各电感并联连接的微机电开关。

2.如权利要求1所述的可调射频电路,其特征在于,串联连接在所述两节点之间的电感从0开始连续以正整数编号,各电感的电感值为2的N次方,其中N为各电感的对应的编号。

3.如权利要求1所述的可调射频电路,其中所述多个电感通过金属膜串联连接,并且各所述微机电开关包括机械件以及镀在所述机械件上的金属膜,所述金属膜延伸至对应的电感以与电感相接触。

4.如权利要求3所述的可调射频电路,其特征在于,所述机械件包括:

驱动悬臂;

悬臂接触体,与所述驱动悬臂通过电子隔离体作为机械连结件以形成机械连接体;及

一侧与所述悬臂接触体的一侧相对的第一电感接触体和第二电感接触体,其中所述悬臂接触体与第一、第二电感接触体各相对侧均镀有金属膜,镀于第一、第二电感接触体上的金属膜与对应的电感相连接。

5.如权利要求4所述的可调射频电路,其特征在于,所述电子隔离体的材料为低应力氮化硅薄膜。

6.如权利要求3所述的可调射频电路,其特征在于,还包括承载各电感和各微机电开关的承载体,所述承载体包括衬底、铺设在所述衬底上的隔离层以及设置在所述隔离层上的牺牲层。

7.如权利要求6所述的可调射频电路,其特征在于,各微机电开关和所述隔离层之间具有空腔。

8.如权利要求3所述的可调射频电路,其特征在于,所述电感为螺旋状。

9.一种可调射频电路的制造方法,包括:

在承载体上划分开关区和电感区;

在所述开关区的承载体上形成并固定微机电开关,其中,所述微机电开关的用于连接电感的金属膜延伸铺设在所述电感区的承载体上;

在所述微机电开关上沉积形成电介质层并在所述电介质层位于所述电感区的部分上形成过孔;

在所述过孔中及所述电感区的电介质层上铺设导电体并对该导电体进行蚀刻形成电感;及

去除所述电介质层位于所述开关区的部分并释放微机电开关。

10.如权利要求9所述的可调射频电路的制造方法,其特征在于,所述在开关区的承载体上形成并固定微机电开关的步骤包括:

通过化学刻蚀方法在承载体的牺牲层上形成用于将微机电开关固定在所述承载体的隔离层上的第一凹槽,包括在所述牺牲层上形成用于将所述微机电开关的驱动悬臂和悬臂接触体固定在所述隔离层上的凹槽以及用于将所述微机电开关的第一电感接触体和第二电感接触体固定在所述隔离层上的第二凹槽;

在所述开关区的承载体上沉积形成电子隔离体;

在所述承载体开关区的牺牲层上及其第一、第二凹槽中形成沉积层,并对所述沉积层进行蚀刻形成以所述隔离体作为连结件的驱动悬臂和悬臂接触体,以及对所述沉积层进行蚀刻形成与所述悬臂接触体相对的第一、第二电感接触体;及

在形成的悬臂接触体和电感接触体的相对侧镀上金属膜并使第一、第二电感接触体上的金属膜分别延伸铺设在所述电感区的承载体上。

11.如权利要求9所述的可调射频电路的制造方法,其特征在于,所述在微机电开关上沉积形成电介质层的步骤包括:

在20-1000摄氏度的温度条件下通过化学气相沉积或溅射方法在所述微机电开关上铺设厚度为0.1-3微米的电介质材料。

12.如权利要求9所述的可调射频电路的制造方法,其特征在于,所述在过孔中及所述电感区的电介质层上铺设导电体的步骤包括:

在20-400摄氏度的温度条件下通过蒸发、溅射或电镀方法在所述电介质层上铺设厚度为0.1-3微米的金属材料。

13.如权利要求10所述的可调射频电路的制造方法,其特征在于,所述去除电介质层位于开关区的部分并释放微机电开关的步骤包括:

通过化学蚀刻法去除所述开关区的电介质材料,并用化学蚀刻法去除牺牲层位于所述开关区的部分以在所述微机电开关和所述隔离层之间形成空腔。

14.如权利要求13所述的可调射频电路的制造方法,其特征在于,所述电介质层和所述牺牲层为同一种材料,所述可调射频电路的制造方法同时去除所述开关区的电介质材料和牺牲层位于所述开关区的部分。

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