[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110085619.3 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102208394A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 多田勇治;平川刚;中村博功;黑川敬之 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
衬底，在所述衬底上形成有电路；
多层布线层，所述多层布线层具有在所述衬底上形成的多个布线层以及在所述布线层的最上层的预定位置中形成的第一焊盘；
新焊盘，所述新焊盘被提供在所述多层布线层上的适当位置中；以及
再分配层，所述再分配层被提供有将所述新焊盘和所述第一焊盘进行耦合的再分配线；
其中，所述多层布线层包括信号线和地线，所述信号线用于将电信号传送到所述电路，所述地线被提供于在所述再分配线或所述新焊盘与所述电路之间的布线层中；
其中，所述地线被形成为与所述新焊盘假定要被定位的位置和所述再分配线假定要被形成时所沿的路线相对应；
其中，所述再分配线被形成为沿着所述地线的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述地线被形成在所述多层布线层中包含的多个布线层中的一个布线层中，或被形成为越过所述多层布线层中包含的多个布线层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述地线被形成为栅格状图案。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述地线被形成为沿着在其中要形成有所述新焊盘的所述多层布线层的外围。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述地线在与布局和电路特性相关的限制内具有最大可能的面积。
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