[发明专利]半导体集成电路装置无效
申请号: | 201110085787.2 | 申请日: | 2011-02-28 |
公开(公告)号: | CN102290100A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 平田义治 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11C11/4193 | 分类号: | G11C11/4193 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 | ||
1.一种半导体集成电路装置,其特征在于,具备:
多个升压电路,被输入输入电压,将上述输入电压升压,分别产生不同值的升压电压;
调节器,能够将上述升压电压降压,产生多个降压后的电压;以及
多个开关,连接在上述多个升压电路和上述调节器之间,选择性地将来自上述升压电路的上述升压电压提供给上述调节器作为电源电压。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
该半导体集成电路装置还具备调节器控制电路,该调节器控制电路产生用于切换上述开关的切换信号。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
上述调节器控制电路还产生输出电压控制信号,该输出电压控制信号用于设定由上述调节器产生的降压电压的值。
4.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
上述调节器控制电路还产生调节器控制信号,该调节器控制信号用于控制上述调节器的动作。
5.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
还具备模式控制电路,该模式控制电路产生控制上述升压电压的控制信号,并且产生控制上述调节器控制电路的动作模式控制信号。
6.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
上述调节器具备:
电流反射镜电路;
可变电阻部,连接到该电流反射镜电路的输出节点;以及
两个比较器,被反馈该可变电阻部的电压并将输出信号提供到上述电流反射镜电路的两个输入端,
通过上述开关,将上述升压电压选择性地提供给上述电流反射镜电路作为电源电压,并且通过上述输出电压控制信号设定可变电阻部的电阻,能够从上述输出节点输出降压电压。
7.根据权利要求6所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
上述调节器还具备连接到上述输出节点且通过上述调节器控制信号而开关的晶体管。
8.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
上述开关以接通期间相互不交迭的方式被切换。
9.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
还具备存储器部,上述调节器连接到上述存储器部,并且能够将由上述调节器降压后的电压提供给上述存储器部。
10.根据权利要求9所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
上述降压电压提供给上述存储器部的被选择的字线。
11.根据权利要求9所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
从上述调节器输出的降压电压用于,与上述存储器部的存储器单元相关的改写、写入、阶梯上升写入、写入验证、读取、和擦除验证中的至少一个动作。
12.根据权利要求9所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
上述存储器单元包括NOR闪存、NAND闪存、MRAM、PRAM、ReRAM、或FeRAM中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
上述升压电路分别包含电荷泵电路。
14.根据权利要求5所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
上述升压电路分别包含电荷泵电路,来自上述模式控制电路的上述控制信号经由至少一个反相器分别提供到上述电荷泵电路。
15.根据权利要求14所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
上述电荷泵电路具有晶体管和电容器。
16.根据权利要求9所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
在上述存储器单元部的存储器单元晶体管中存储大于等于2位的信息。
17.根据权利要求9所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
为了得到上述存储器单元部需要的降压电压,能够选择并使用从上述升压电路输出的上述升压电压中比最高电压低的升压电压作为上述调节器的电源电压。
18.根据权利要求17所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
能够选择并使用上述升压电压中比上述存储器单元部所需要的电压高且最低的电压作为上述调节器的电源电压。
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