[发明专利]非水电解质二次电池用负极材料及其制造方法以及锂离子二次电池有效

专利信息
申请号: 201110085975.5 申请日: 2011-04-02
公开(公告)号: CN102214823A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 川田敦雄 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M10/0525;H01M4/139
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 菅兴成;吴小瑛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 水电 二次 电池 负极 材料 及其 制造 方法 以及 锂离子
【权利要求书】:

1.一种非水电解质二次电池用负极材料,是使用非水电解质的二次电池用负极材料,其特征在于,

至少包括硅-硅氧化物系复合体以及覆盖于该硅-硅氧化物系复合体表面的碳覆膜,

至少所述硅-硅氧化物系复合体中掺杂有锂,并且在Cu-K α线的X射线衍射中归属于2θ=35.8±0.2°的SiC的峰强度I(SiC)与归属于2θ=28.4±0.2°的Si的峰强度I(Si)的比I(SiC)/I(Si),满足I(SiC)/I(Si)≤0.03的关系。

2.如权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极材料,其中,所述非水电解质二次电池用负极材料,还可以在所述Cu-K α线的X射线衍射中观察到归属于铝酸锂的峰值。

3.一种锂离子二次电池,至少包括正极、负极及锂离子导电性非水电解质,其特征在于,

所述负极,使用了如权利要求1或权利要求2所述的非水电解质二次电池用负极材料。

4.一种非水电解质二次电池用负极材料的制造方法,是使用非水电解质的二次电池用负极材料的制造方法,其特征在于,至少包括:

在包括氧化硅和硅-硅氧化物系复合体中至少任一者的粉末的表面,通过热CVD处理来覆盖碳的步骤;以及

将该覆盖碳后的粉末与锂掺杂剂混合,然后进行加热使锂掺杂至该覆盖碳后的粉末中的步骤。

5.如权利要求4所述的非水电解质二次电池用负极材料的制造方法,其中,使用氢化锂及/或氢化锂铝作为所述锂掺杂剂。

6.如权利要求4所述的非水电解质二次电池用负极材料的制造方法,其中,进行所述锂掺杂的温度,低于所述热CVD处理时的温度。

7.如权利要求5所述的非水电解质二次电池用负极材料的制造方法,其中,进行所述锂掺杂的温度,低于所述热CVD处理时的温度。

8.如权利要求4至权利要求7中任一项所述的非水电解质二次电池用负极材料的制造方法,其中,使所述锂掺杂的温度为800℃以下。

9.如权利要求4至权利要求7中任一项所述的非水电解质二次电池用负极材料的制造方法,其中,使所述热CVD处理的温度为800℃以上。

10.如权利要求8所述的非水电解质二次电池用负极材料的制造方法,其中,使所述热CVD处理的温度为800℃以上。

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