[发明专利]采用分子印迹功能化修饰电极的光电化学分析方法有效

专利信息
申请号: 201110086333.7 申请日: 2011-04-07
公开(公告)号: CN102735720A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 史慧杰;赵国华;刘梅川 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/333
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 林君如
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 采用 分子 印迹 功能 修饰 电极 光电 化学分析 方法
【权利要求书】:

1.采用分子印迹功能化的修饰电极的光电化学分析方法,其特征在于:采用分子印迹功能化的TiO2NTs电极作为工作电极,实现对实际样品中非电活性内分泌干扰物2,4-二氯苯氧乙酸(2,4-D)的高灵敏、高选择性光电化学检测,其检测灵敏度达到10-8mol·L-1

2.根据权利要求1所述的采用分子印迹功能化的修饰电极的光电化学分析方法,其特征在于,所述的工作电极为分子印迹化的聚吡咯薄膜修饰的TiO2NTs电极,采用以下步骤制作:以Ti基底阳极氧化的方法制得的TiO2NTs为工作电极,Pt电极为辅助电极,饱和甘汞电极为参比电极,以5×10-4mol·L-1模板分子2,4-D、1×10-4mol·L-1吡咯、0.1mol·L-1LiClO4的混合溶液为电解液,采用循环伏安法对吡咯进行电聚合,扫描电位为-0.2~1.0V(Vs.SCE),扫描圈数为10圈,扫描速率为50mV·s-1,电聚合后,将所得到的电极在0.2M的Na2HPO4溶液中恒电位1.3V(Vs.SCE)氧化20min,除去模板分子2,4-D,得到分子印迹化的聚吡咯薄膜修饰的TiO2NTs电极。

3.根据权利要求1所述的采用分子印迹功能化的修饰电极的光电化学分析方法,其特征在于:该方法具体包括以下步骤:配制一系列不同浓度的待测物质2,4-D的标准溶液,并依次分别加入到电解池中作为电解液,搅拌10分钟后,静置;采用i-t曲线的方法,在紫外光照射下,施加偏压0.2V,测定光电流,根据光电流与标准溶液浓度的线性关系绘制工作曲线,然后采用相同的操作方法测定实际样品的光电流,并根据工作曲线计算实际样品的浓度,每次测定后将电解池中的工作电极置于0.2MNa2HPO4溶液中,控制电位为1.3V下,恒电位氧化20min,除去键合的2,4-D,实现电极表面的再生和更新。

4.根据权利要求1或3所述的采用分子印迹功能化的修饰电极的光电化学分析方法,其特征在于,所述的实际样品是将待测物质2,4-D分别与100倍于2,4-D的干扰物质的混合溶液加入到电解池中作为电解液,实现待测分子2,4-D的选择性检测。

5.根据权利要求4所述的采用分子印迹功能化的修饰电极的光电化学分析方法,其特征在于,所述的干扰物质包括杀虫剂啶虫脒、除草剂阿特拉津或百草枯。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学,未经同济大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110086333.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top