[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及利用超临界流体对进行了清洗等处理后的被处理基板进行干燥的技术。

背景技术

在作为被处理基板的例如半导体晶圆(以下称为晶圆)的表面上形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造工序中，设有利用药液等清洗液去除晶圆表面的微小的灰尘、自然氧化膜等利用液体对晶圆表面进行处理的液体处理工序。

例如用于进行晶圆的清洗的单片式旋转清洗装置通过采用喷嘴一边向晶圆的表面供给例如碱性、酸性的药液，一边使晶圆旋转而去除晶圆表面的灰尘、自然氧化物等。在这种情况下，在利用由纯水等进行的冲洗将残留的药液去除后，通过使晶圆旋转而甩掉所残留的液体的甩干等来对晶圆表面进行干燥。

但是，随着半导体装置的高集成化，在这样的去除液体等的处理中，所谓图案歪斜的问题目益严重。图案歪斜是指例如在使残留在晶圆表面上的液体干燥时，由于残留在用于形成图案的凹凸的例如凸部的左右的液体干燥不均匀，而导致向左右拉扯该凸部的表面张力失去平衡，从而使凸部向残留有较多液体的方向歪斜的现象。

作为用于在抑制这样的图案歪斜的同时去除残留在晶圆表面上的液体的方法，公知有采用了超临界状态的流体(超临界流体)的干燥方法。超临界流体的粘度小于液体的粘度、且溶解液体的能力也高，并且在超临界流体和处于平衡状态的液体、气体之间不存在界面。因此，若对附着有液体的状态下的晶圆进行超临界流体的置换，然后使超临界流体的状态变化为气体，则不受表面张力的影响就能够使液体干燥。

在此，在专利文献1中记载了如下技术：利用基板输送机器人将在清洗部中清洗后的基板输送到干燥装置内，在该干燥装置内使基板与超临界流体相接触，从而去除附着在基板表面上的清洗液。在该专利文献1中所记载的技术中，由于是将被处理基板搬入到输送室中且交接给输送用的机器人，然后，在移送到干燥处理室后进行利用超临界流体的干燥，因此，可能导致在处理开始之前的期间，被处理基板表面的液体干燥而产生图案歪斜的情况。

专利文献1：日本特开2008-72118号公报：0025～0029段、图1。

发明内容

本发明是鉴于这种情况而做出的，其目的在于提供一种能够在抑制产生图案歪斜、产生污垢的同时对被处理基板进行干燥的基板处理装置。

本发明的基板处理装置的特征在于，其具有：液槽，其用于保持被处理基板并将被处理基板浸渍到液体中；处理容器，在该处理容器中，在将该液槽配置在内部的处理空间中、且将该液槽内的液体置换为超临界状态的流体之后，通过对该处理空间内进行减压而使上述流体成为气体，从而进行使被处理基板干燥的处理；流体供给部，其用于以液体状态或者超临界状态将上述流体供给到该处理容器中；排液部，其用于将上述液槽内的液体排出；移动机构，其用于使上述液槽在上述处理容器内的处理位置和该处理容器的外部的准备位置之间移动；加热机构，其为了使供给到上述处理容器中的流体成为超临界状态或者维持该超临界状态而加热上述处理空间；冷却机构，其用于对移动到上述准备位置的液槽进行冷却。

上述基板处理装置也可以具有以下特征：

(a)上述液体为挥发性的液体，该液体被供给到由上述冷却机构进行了冷却后的液槽中。

(b)在利用上述冷却机构对液槽进行了冷却后，将被处理基板浸渍到该液槽内的液体中。

(c)上述液槽构成为沿纵向保持被处理基板。

(d)上述移动机构构成为使上述液槽沿横向移动。

(e)在上述液槽上一体地设有用于开闭被形成于处理容器上的搬入搬出口的盖构件，且上述基板处理装置具有用于阻止堵塞着上述开口部的盖构件的打开的止挡机构。

根据本发明，当在处理容器的内外移动的液槽移动到该处理容器的外部的准备位置时，能够冷却该液槽，另一方面，能够在处理容器侧与上述液槽独立地对处理容器进行加热。因此，例如在将被处理基板搬入时，能够在处理容器的外面将液槽冷却而抑制液槽中的液体的蒸发、被处理基板的干燥，另一方面，在使处理容器维持加热状态，且使液槽移动到处理容器内之后，能够缩短将处理容器内的温度升温至规定的温度所需的时间而提高应答性等、实现自由度高的运转。

附图说明

图1是本实施方式的清洗系统的俯视图。

图2是表示上述清洗系统内的清洗装置的一例的纵剖侧视图。

图3是表示本实施方式的超临界处理装置和晶圆的交接机构的一例的立体图。

图4的(a)、(b)是表示上述超临界处理装置的外观结构的局部剖立体图。