[发明专利]一种驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1的方法

权利要求书

1.一种重组载体，为将DNA分子插入穿梭质粒的多克隆位点得到的载体；

所述DNA分子的核苷酸序列为序列表中的序列1。

2.根据权利要求1所述的重组载体，其特征在于：

所述穿梭质粒为温敏型穿梭质粒，

所述温敏型穿梭质粒具体为pKSV7。

3.权利要求1或2所述重组载体在驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1中的应用。

4.一种驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1的方法，包括如下步骤：

将权利要求1或2所述的重组载体转入出发菌，得到重组菌；将所述重组菌传代培养，至所述重组菌中的炭疽杆菌毒力大质粒pXO1被驱除，得到驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1的重组菌。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1方法中，在所述将权利要求1或2所述的重组载体转入出发菌前，还包括将权利要求1或2所述重组载体去甲基化的步骤，

所述去甲基化的方法包括如下步骤：

1)、将权利要求1或2所述重组载体转入甲基化酶缺陷的大肠杆菌中，得到重组菌1；

2)、提取步骤1)得到的所述重组菌1的质粒，得到去甲基化的重组载体；

所述驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1方法中，还包括将所述驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1的重组菌去除权利要求1或2所述重组载体的步骤，

所述将驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1的重组菌去除权利要求1或2所述重组载体的方法包括如下步骤：

将所述驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1的重组菌分别接种在无所述重组载体抗性筛选标记物培养基和含所述重组载体抗性筛选标记物的培养基中培养，选取在无所述重组载体抗性筛选标记物培养基生长且在含所述重组载体抗性筛选标记物的培养基上不生长的菌，得到驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1和所述重组载体的重组菌。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于：

所述出发菌为炭疽杆菌(Bacillus anthracis)；

所述甲基化酶缺陷的大肠杆菌为大肠杆菌SCS110；

所述抗性筛选标记物为氯霉素。

7.根据权利要求4-6中任一所述的方法，其特征在于：

所述传代培养的温度为不高于30℃，所述传代培养的温度具体为30℃；

所述将驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1的重组菌去除权利要求1或2所述重组载体的方法中，所述培养温度为37℃-42℃，所述培养温度具体为37℃。

8.由权利要求4-7中任一所述方法制备的驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1的重组菌和/或驱除炭疽杆菌毒力大质粒pXO1和所述重组载体的重组菌。

9.权利要求1或2所述重组载体、权利要求8所述的重组菌在制备疫苗中的应用；所述疫苗具体为炭疽疫苗。

10.一种炭疽疫苗，其活性成分为权利要求8所述的重组菌。